时间：2025/6/13 18:39:48
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GA0402Y272JXXAC31G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能功率晶体管，属于 GaN Systems 的 GS 系列。该器件采用增强型设计，支持高频率开关操作和高效率能量转换。其主要应用于服务器电源、通信设备、可再生能源系统以及电动汽车等领域。通过利用 GaN 材料的优异特性，该器件在导通电阻、开关速度和热性能等方面表现卓越。
相比传统的硅基 MOSFET，GA0402Y272JXXAC31G 具有更低的寄生电感和更高的工作频率，从而显著提升整体系统效率并减少磁性元件的体积。
额定电压：650V
额定电流：40A
导通电阻：27mΩ
栅极电荷：85nC
输入电容：1900pF
最大工作结温：175°C
封装形式：LLGA-11(Exposed Pad)
存储温度范围：-55°C to +150°C
1. 高效功率转换：得益于 GaN 的低导通电阻和快速开关能力，能够实现更高效率的 DC/DC 和 AC/DC 转换。
2. 高频运行能力：支持高达数 MHz 的开关频率，减少了对大尺寸滤波器和变压器的需求。
3. 减小系统体积和重量：由于高频运行和高效散热特性，可以使用更小的无源元件，从而减小整个系统的尺寸。
4. 热性能优越：具备良好的热传导特性和较低的热阻，保证了长时间稳定运行。
5. 增强的安全性：内置过流保护和短路耐受功能，进一步提升了器件的可靠性。
6. 易于驱动：与标准 MOSFET 栅极驱动兼容，简化了电路设计流程。
1. 数据中心和电信基站中的高效电源模块。
2. 新能源汽车中的车载充电器和逆变器。
3. 太阳能光伏微逆变器及储能系统。
4. 工业级电机驱动和 UPS 不间断电源。
5. 消费类快充适配器和笔记本电脑充电器。
6. 高频谐振转换器拓扑结构，如 LLC 和 PFC 电路。
GS66504B, GA0402T272JXBA2G
