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SK35GD12T4ET 发布时间 时间:2025/8/23 11:15:33 查看 阅读:3

SK35GD12T4ET 是一款由 Semikron(赛米控)生产的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于电力电子领域,如变频器、电机驱动和电源系统。该模块设计用于高效率和高可靠性,具备较低的导通压降和开关损耗。

参数

类型:IGBT模块
  集电极-发射极电压(Vce):1200V
  额定集电极电流(Ic):35A
  短路电流能力:75A
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247AC(具体封装形式可能因供应商而异)
  栅极电压(Vge):±20V
  导通压降(Vce_sat):约2.1V(典型值,Ic=35A时)
  开关损耗(Eon/Eoff):Eon≈0.65mJ,Eoff≈1.2mJ(典型值,25°C时)

特性

SK35GD12T4ET 采用了先进的 IGBT 技术,具备较低的导通压降和开关损耗,从而提高了整体系统效率。其高短路耐受能力确保在过载或故障条件下仍能稳定运行。
  该模块具备出色的热稳定性,能够在较高的工作温度下保持性能,延长了使用寿命并降低了散热要求。此外,SK35GD12T4ET 还具备良好的短路保护能力和抗电磁干扰(EMI)性能,适用于高要求的工业环境。
  模块的封装设计优化了热管理和电气连接,有助于提高系统可靠性和维护便利性。此外,该模块具备良好的并联能力,适用于需要更高电流的应用场合。

应用

SK35GD12T4ET 主要应用于工业电机驱动、伺服驱动器、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、电焊设备、UPS不间断电源系统以及各种中高功率变频器。其高可靠性和高效率特性也使其适用于电动汽车充电设备和储能系统等新兴领域。

替代型号

英飞凌(Infineon)型号:IKW35N120CS6-L、IKW35N120CH3、FF35R12W1T4_B11

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