GA0402A2R2CXAAP31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管。该型号专为高频、高功率密度应用场景设计,适用于电源转换、射频放大器和工业驱动等高性能需求领域。
这款 GaN 功率晶体管采用了增强型横向场效应晶体管(e-mode HEMT)结构,具备低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力。其封装形式经过优化,能够有效降低寄生电感和热阻,从而提升整体性能和可靠性。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:2A
导通电阻:2Ω
栅极电荷:15nC
开关频率:超过10MHz
工作温度范围:-55℃至+175℃
1. 采用先进的氮化镓技术,提供卓越的功率密度和效率。
2. 超低导通电阻(2Ω),显著降低传导损耗。
3. 高速开关性能,支持高达10MHz以上的开关频率,适用于高频应用。
4. 增强型模式(e-mode)确保常闭操作,提升系统安全性。
5. 经过优化的封装设计减少寄生效应,改善散热性能。
6. 工作温度范围宽广,适应极端环境下的使用需求。
7. 内置静电防护机制,提高器件的鲁棒性。
1. 开关电源(SMPS):
- AC-DC 和 DC-DC 转换器
- PFC(功率因数校正)电路
2. 射频功率放大器:
- 无线通信基站
- 微波设备
3. 工业驱动与控制:
- 电机驱动
- 伺服系统
4. 快速充电器:
- 消费电子快充适配器
5. 光伏逆变器:
- 提升能量转换效率
6. 固态照明驱动:
- LED 驱动电源
GA0402A2R2CXAAP21G
GA0402A2R2CXAAP41G