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GA0402A2R2CXAAP31G 发布时间 时间:2025/6/5 20:11:51 查看 阅读:8

GA0402A2R2CXAAP31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管。该型号专为高频、高功率密度应用场景设计,适用于电源转换、射频放大器和工业驱动等高性能需求领域。
  这款 GaN 功率晶体管采用了增强型横向场效应晶体管(e-mode HEMT)结构,具备低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力。其封装形式经过优化,能够有效降低寄生电感和热阻,从而提升整体性能和可靠性。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:2A
  导通电阻:2Ω
  栅极电荷:15nC
  开关频率:超过10MHz
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

1. 采用先进的氮化镓技术,提供卓越的功率密度和效率。
  2. 超低导通电阻(2Ω),显著降低传导损耗。
  3. 高速开关性能,支持高达10MHz以上的开关频率,适用于高频应用。
  4. 增强型模式(e-mode)确保常闭操作,提升系统安全性。
  5. 经过优化的封装设计减少寄生效应,改善散热性能。
  6. 工作温度范围宽广,适应极端环境下的使用需求。
  7. 内置静电防护机制,提高器件的鲁棒性。

应用

1. 开关电源(SMPS):
   - AC-DC 和 DC-DC 转换器
   - PFC(功率因数校正)电路
  2. 射频功率放大器:
   - 无线通信基站
   - 微波设备
  3. 工业驱动与控制:
   - 电机驱动
   - 伺服系统
  4. 快速充电器:
   - 消费电子快充适配器
  5. 光伏逆变器:
   - 提升能量转换效率
  6. 固态照明驱动:
   - LED 驱动电源

替代型号

GA0402A2R2CXAAP21G
  GA0402A2R2CXAAP41G

GA0402A2R2CXAAP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容2.2 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-