时间：2025/6/5 20:11:51
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GA0402A2R2CXAAP31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管。该型号专为高频、高功率密度应用场景设计，适用于电源转换、射频放大器和工业驱动等高性能需求领域。
这款 GaN 功率晶体管采用了增强型横向场效应晶体管（e-mode HEMT）结构，具备低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力。其封装形式经过优化，能够有效降低寄生电感和热阻，从而提升整体性能和可靠性。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：2A
导通电阻：2Ω
栅极电荷：15nC
开关频率：超过10MHz
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 采用先进的氮化镓技术，提供卓越的功率密度和效率。
2. 超低导通电阻（2Ω），显著降低传导损耗。
3. 高速开关性能，支持高达10MHz以上的开关频率，适用于高频应用。
4. 增强型模式（e-mode）确保常闭操作，提升系统安全性。
5. 经过优化的封装设计减少寄生效应，改善散热性能。
6. 工作温度范围宽广，适应极端环境下的使用需求。
7. 内置静电防护机制，提高器件的鲁棒性。
1. 开关电源（SMPS）：
- AC-DC 和 DC-DC 转换器
- PFC（功率因数校正）电路
2. 射频功率放大器：
- 无线通信基站
- 微波设备
3. 工业驱动与控制：
- 电机驱动
- 伺服系统
4. 快速充电器：
- 消费电子快充适配器
5. 光伏逆变器：
- 提升能量转换效率
6. 固态照明驱动：
- LED 驱动电源
GA0402A2R2CXAAP21G
GA0402A2R2CXAAP41G
