时间：2025/3/27 14:34:05
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VN751STR 是一款 N 沣道晶体管（N-MOSFET），采用小型表面贴装封装（SOT-23）。该器件主要应用于低电压、低功耗的开关和负载驱动应用。由于其出色的导通电阻和快速开关特性，VN751STR 广泛用于消费电子、通信设备以及便携式电子产品中。
VN751STR 的设计使其能够在小尺寸的情况下提供高效的性能，同时具备较低的栅极电荷，从而减少了开关损耗并提高了整体效率。
最大漏源电压：40V
最大漏电流：400mA
最大栅源电压：±8V
导通电阻：1.9Ω
总功耗：420mW
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 小型 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗。
3. 高速开关性能，适用于高频电路。
4. 工作温度范围广，可适应各种环境条件。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 提供稳定的电气性能，适合在电池供电的系统中使用。
1. 开关电源中的同步整流。
2. 手机和便携式设备中的负载开关。
3. 电机控制和驱动。
4. 电池保护电路。
5. 信号切换和电平转换。
6. 低压逻辑电路驱动。
VN751TR, BSS138, SI2302DS
