GA0402A121JXAAP31G 是一款基于硅技术制造的高性能功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该芯片采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其封装形式为表面贴装类型,适合自动化生产,并能有效降低系统的整体功耗。
该器件的工作电压范围较宽,适用于多种工业和消费类电子产品中的高效功率转换场景。
型号:GA0402A121JXAAP31G
类型:N-Channel Power MOSFET
工作电压(Vds):60V
连续漏极电流(Id):28A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
栅极电荷(Qg):35nC
最大结温(Tj):175℃
封装:LFPAK56D
GA0402A121JXAAP31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够显著减少传导损耗,提高效率。
2. 高速开关能力,支持高频工作场景,有助于减小磁性元件体积。
3. 先进的沟槽结构设计,提供卓越的电气性能。
4. 内置反向二极管功能,优化了同步整流和续流路径。
5. 良好的热稳定性和可靠性,适合长时间运行在高负载条件下。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
7. 表面贴装封装,简化了 PCB 设计和组装流程。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),如适配器、充电器和 LED 驱动电源。
2. 工业电机控制和驱动系统。
3. 汽车电子设备中的负载切换和 DC-DC 转换。
4. 家用电器中的功率管理模块。
5. 可再生能源系统中的逆变器和转换器部分。
6. 数据通信设备中的电源管理单元。
GA0402A121JXAAP31H, IRF6640PBF, FDP067N06L