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GA0402A121JXAAP31G 发布时间 时间:2025/5/21 18:05:36 查看 阅读:25

GA0402A121JXAAP31G 是一款基于硅技术制造的高性能功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该芯片采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其封装形式为表面贴装类型,适合自动化生产,并能有效降低系统的整体功耗。
  该器件的工作电压范围较宽,适用于多种工业和消费类电子产品中的高效功率转换场景。

参数

型号:GA0402A121JXAAP31G
  类型:N-Channel Power MOSFET
  工作电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):28A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  栅极电荷(Qg):35nC
  最大结温(Tj):175℃
  封装:LFPAK56D

特性

GA0402A121JXAAP31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够显著减少传导损耗,提高效率。
  2. 高速开关能力,支持高频工作场景,有助于减小磁性元件体积。
  3. 先进的沟槽结构设计,提供卓越的电气性能。
  4. 内置反向二极管功能,优化了同步整流和续流路径。
  5. 良好的热稳定性和可靠性,适合长时间运行在高负载条件下。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  7. 表面贴装封装,简化了 PCB 设计和组装流程。

应用

这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器、充电器和 LED 驱动电源。
  2. 工业电机控制和驱动系统。
  3. 汽车电子设备中的负载切换和 DC-DC 转换。
  4. 家用电器中的功率管理模块。
  5. 可再生能源系统中的逆变器和转换器部分。
  6. 数据通信设备中的电源管理单元。

替代型号

GA0402A121JXAAP31H, IRF6640PBF, FDP067N06L

GA0402A121JXAAP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容120 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-