电容值：10nF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，ΔC/C ≤ ±15%）
　　封装尺寸：0805（2.0mm × 1.25mm）
　　电介质材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　直流偏压特性：在50V下电容下降约20%-30%（典型值）
　　老化率：≤2.5%每十年（在25°C）
　　电极结构：Ni-barrier（抗硫化）
　　端接类型：SMD
　　符合标准：RoHS、AEC-Q200（部分批次）

CL31B103KBCNNND 所采用的X7R电介质材料使其在宽温度范围内表现出优异的电容稳定性，适用于对温度变化敏感的应用场合。在-55°C到+125°C的工作区间内，其电容值的变化不超过±15%，这使得它非常适合用于工业级和汽车级电子系统中需要稳定性能的电路设计。相较于Z5U或Y5V等材料，X7R具有更低的老化速率和更高的可靠性，长期使用过程中电容衰减缓慢，保障了系统的长期稳定性。
　　该器件的50V额定电压使其能够胜任中等电压应用，如电源轨去耦、DC-DC转换器输入输出滤波以及信号路径中的交流耦合。尽管在接近额定电压时由于铁电材料的非线性特性会导致一定量的电容下降（通常在20%-30%之间），但其在正常工作偏压下的性能仍能满足大多数应用场景的需求。通过合理布局和并联使用，可以进一步提升其有效容量和电流承载能力。
　　Ni-barrier电极结构是该型号的重要特性之一，提供了出色的抗硫化能力，防止在高硫环境中因银电极氧化而导致的开路失效。这一特性显著提升了器件在恶劣环境（如工业现场、汽车引擎舱、户外设备）中的长期可靠性。此外，该结构还增强了焊接可靠性和热循环耐久性，减少因热应力引起的裂纹风险。
　　CL31B103KBCNNND采用标准0805封装，兼容主流SMT贴片工艺，适合波峰焊和回流焊流程。其尺寸紧凑，在空间受限的设计中仍能提供可靠的电气性能。同时，该器件具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有利于高频去耦和噪声抑制，特别适用于开关电源和高速数字电路中的局部储能与滤波功能。

CL31B103KBCNNND 广泛应用于各类需要稳定电容性能和中等耐压能力的电子设备中。在电源管理电路中，常用于DC-DC转换器的输入和输出端进行滤波，以平滑电压波动并降低纹波噪声。其良好的频率响应特性和低ESR使其成为高频开关电路中理想的去耦电容，可有效抑制瞬态电流引起的电压尖峰，保护敏感逻辑器件。
　　在模拟信号处理电路中，该电容器可用于交流耦合和级间隔离，确保信号通路中直流分量被有效阻断，同时允许所需频段的交流信号顺利通过。由于其X7R材料带来的良好线性度和低失真特性，适合音频前置放大器、传感器接口和数据采集系统等精密模拟应用。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块（BCM）、信息娱乐系统、ADAS传感器供电单元等，满足AEC-Q200可靠性标准的部分认证版本可用于车载环境。其抗硫化设计特别适合安装在发动机舱附近或空气污染较严重的区域，避免因环境因素导致早期失效。
　　此外，在工业自动化设备、PLC控制器、通信基站电源模块以及消费类电子产品（如路由器、智能家电）中，CL31B103KBCNNND也发挥着关键作用。无论是作为旁路电容为IC提供瞬时电流支持，还是作为RC滤波网络的一部分参与信号调理，该器件均展现出高度的通用性和可靠性。其RoHS合规性也确保了在全球范围内的环保合规生产和出口适用性。

GRM21BR71H103KA01L
　　C2012X7R1H103K
　　TC-31B103KBCNNND
　　CL21B103KBANNNC