FN18N391J500PSG是一款高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用N沟道增强型设计。该器件适用于高电压、高效率的开关应用,广泛用于工业电源、电机驱动、太阳能逆变器等领域。其卓越的性能主要体现在低导通电阻和快速开关速度上,能够在高频条件下实现高效功率转换。
最大漏源电压:750V
连续漏极电流:18A
导通电阻:0.18Ω
栅极电荷:45nC
开关频率:高达100kHz
封装形式:TO-247
FN18N391J500PSG具有出色的电气特性和可靠性。
1. 高耐压能力:其750V的最大漏源电压使其适合各种高压应用环境。
2. 低导通电阻:仅为0.18Ω,在大电流条件下减少功率损耗。
3. 快速开关:具备较低的栅极电荷,支持高频工作场景。
4. 热稳定性:该器件在高温环境下仍能保持稳定的性能。
5. 安全性:内置多种保护机制,例如雪崩击穿保护,确保极端条件下的安全运行。
6. 封装优势:采用TO-247封装,便于散热和安装,适合大功率场合。
FN18N391J500PSG适用于需要高电压和大电流处理的应用场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关元件,提高电源转换效率。
2. 工业电机控制:用于驱动三相无刷直流电机或其他类型电机。
3. 太阳能逆变器:用于光伏系统中的DC-AC转换。
4. 电动汽车充电设备:支持高效功率传输和管理。
5. 不间断电源(UPS):提供稳定可靠的后备电源解决方案。
IRFP460, STP18NF75, FGA21N75S