PC9D10 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效能功率管理的电子设备中。该器件采用先进的沟槽式技术,提供低导通电阻、高耐压和大电流能力,适用于如电源转换、电机控制、负载开关等应用领域。PC9D10 通常封装在 SOT-223 或类似的表面贴装封装中,便于在 PCB 上安装并实现良好的热管理和电气性能。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(Id):10A
漏源电压(Vds):100V
栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):0.32Ω(最大值)
功耗(Pd):2W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
PC9D10 MOSFET 的主要特性之一是其较低的导通电阻,这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统的整体效率。其最大漏极电流可达 10A,支持在较高负载条件下稳定运行。此外,该器件具备较高的漏源电压耐受能力(100V),使其适用于多种中高功率应用。PC9D10 还具有良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠工作,增强了其在严苛环境下的适用性。
另一个显著优势是其封装形式(如 SOT-223),该封装不仅节省空间,还提供了良好的散热性能,有助于将热量从芯片传导到 PCB 上。此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽(±20V),能够兼容多种驱动电路设计,提高设计灵活性。ROHM 在制造过程中采用了高质量的半导体材料和工艺,确保了 PC9D10 的高可靠性和长使用寿命。
PC9D10 MOSFET 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器以及电池供电设备中。例如,在开关电源(SMPS)设计中,PC9D10 可用作主开关元件,实现高效的能量转换。在电池供电系统中,它可以作为高侧或低侧开关,控制电池的供电路径。此外,在工业自动化设备中,PC9D10 也常用于控制直流马达的启停和转向。由于其具备较高的耐压能力和较大的电流承载能力,该器件还可用于 LED 照明控制系统、热插拔电路以及各种类型的功率放大器设计中。
Si2302DS, FDN304P, IRFZ44N, AO3400A