时间：2025/4/28 18:58:32
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BDE1100G-TR 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装形式。该器件广泛应用于各种开关电源、电机驱动器、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。其主要特点是低导通电阻和高电流处理能力，适用于要求高效能转换和小封装的应用环境。
由于其出色的电气特性和紧凑的外形设计，BDE1100G-TR 成为许多中低功率应用的理想选择。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：3.4A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：100mΩ
总功耗：1.3W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-252 (DPAK)
BDE1100G-TR 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，支持高频操作，适合现代高效能电源管理需求。
3. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下也能可靠运行。
4. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
5. 紧凑的 TO-252 封装形式，节省 PCB 布局空间并简化散热设计。
这些特性使得 BDE1100G-TR 在需要高性能和高可靠性的应用中表现出色。
BDE1100G-TR 广泛用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 各种电机控制电路中的驱动元件。
3. 负载开关和保护电路中的关键组件。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
BDE1100G-TR 的多功能性使其成为众多电子设备的核心部件。
BSC110N06NS3, IRLML6402TRPBF
