IXGP24N60C4是一款由IXYS公司生产的高性能IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片,主要用于高功率应用场合。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点,适用于逆变器、变频器、电源转换器等高功率电子设备。
类型:IGBT
最大集电极-发射极电压(Vce):600V
最大集电极电流(Ic):24A
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-247
导通压降(Vce_sat):约1.8V(典型值)
栅极-发射极电压(Vge):±20V
短路耐受能力:有
输入电容(Cies):约1900pF
输出电容(Coes):约240pF
反向恢复时间(trr):约80ns
IXGP24N60C4具有优异的导通性能和开关特性,能够在高电压和大电流条件下稳定工作。
其低导通压降特性(Vce_sat)显著降低了功率损耗,提高了系统效率。
该IGBT芯片采用了先进的平面栅极技术和场截止设计,增强了器件的短路耐受能力和可靠性。
此外,IXGP24N60C4具备良好的热稳定性,能够在高温环境下长时间运行,适用于工业级应用需求。
该芯片的封装设计(TO-247)提供了良好的散热性能,同时便于安装和维护。
IXGP24N60C4还具备较高的dv/dt耐受能力,能够适应快速开关场合,减少电磁干扰(EMI)问题。
在过载和短路条件下,该器件具有一定的自我保护能力,有助于提升整个系统的安全性。
IXGP24N60C4广泛应用于各种高功率电子系统,如交流电机驱动器、变频器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和电焊机等。
在工业自动化设备中,该IGBT用于控制电机的速度和方向,提供高效的能量转换方案。
在可再生能源领域,IXGP24N60C4常用于光伏逆变器中,将直流电转换为交流电并入电网。
该芯片也适用于感应加热设备和高频电源转换器,提供稳定的开关性能。
此外,在电动汽车充电设备和储能系统中,IXGP24N60C4被用来实现高效的电能转换与管理。
由于其优异的热稳定性和高可靠性,该IGBT也适用于苛刻的工业环境,如高温、高湿和高振动场合。
IXGP24N60C3, IXGH24N60C4D1, STGY24NC60VD