GA0402A2R2CXBAC31G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管,主要用于高频和高效率电源转换应用。该芯片采用先进的 GaN-on-Silicon 技术制造,能够实现更低的导通电阻和更快的开关速度,同时具备出色的热性能和可靠性。
该型号专为硬开关和软开关拓扑优化设计,适合用于开关电源、DC-DC 转换器、太阳能逆变器等应用场合。
导通电阻:15 mΩ@25°C
击穿电压:650 V
连续漏极电流:9 A
栅极电荷:70 nC
输入电容:1800 pF
反向恢复时间:<10 ns
封装类型:TO-247-4L
1. 高效的 GaN 技术提供了卓越的开关性能和低导通损耗。
2. 具备快速的开关速度,支持高达 MHz 级别的工作频率。
3. 小尺寸封装,有助于减小系统体积和重量。
4. 内置过温保护功能,确保在极端条件下的可靠性。
5. 极低的寄生电感,减少了开关过程中的振荡和能量损失。
6. 提供增强型设计(常闭模式),简化驱动电路设计并提高系统稳定性。
1. 开关电源(SMPS)
2. 服务器和通信设备中的高效 DC-DC 转换器
3. 太阳能微型逆变器
4. 无线充电系统
5. LED 驱动器
6. 汽车电子中的 DC-DC 和 OBC 应用
GAN041-650WSA
GS66508T
TP65H090G4
EPC2020