时间：2025/5/7 13:26:29
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NDFP03N150CG是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的高压功率MOSFET。该器件采用N沟道增强型结构，具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电力电子应用领域。其额定电压为1500V，典型导通电阻较低，可有效提升系统效率并减少热损耗。
该器件主要面向工业和汽车级市场，特别适合于需要高效能量转换的场景，例如电机驱动、DC-DC转换器、逆变器以及开关电源等。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1500V
最大栅极源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：3A
脉冲漏极电流(Ip)：9A
导通电阻(Rds(on))：7.5Ω
栅极电荷(Qg)：48nC
输入电容(Ciss)：1450pF
输出电容(Coss)：85pF
总功耗(Ptot)：15W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
NDFP03N150CG具有以下显著特点：
1. 高击穿电压（1500V），能够承受更高的工作电压，从而满足高压应用场景的需求。
2. 低导通电阻，在额定条件下其Rds(on)仅为7.5Ω，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关能力，具备较小的栅极电荷和输出电容，可以实现高频操作。
4. 强大的热性能设计，允许较高的结温范围（最高达175°C），增强了器件在极端环境下的可靠性。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 可靠性高，经过严格的质量控制流程，确保长期稳定运行。
这款MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 工业设备中的大功率开关电源和不间断电源(UPS)。
2. 电动车及混合动力车中的车载充电器与逆变器。
3. 太阳能光伏逆变器，用于将直流电转化为交流电。
4. 各种类型的电机驱动器，包括伺服电机和步进电机控制系统。
5. 能量存储系统的充放电管理电路。
6. 高压DC-DC转换器，用于电信和服务器电源解决方案。
NDFP04N150CG, FDP15N150B
