时间：2025/8/24 22:57:23
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G80N90RUFD 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于超级结（Super Junction）MOSFET系列。该器件专门设计用于高电压、高效率和高频开关应用，广泛应用于电源适配器、服务器电源、LED照明、工业电源、DC-DC转换器以及PFC（功率因数校正）电路等场合。G80N90RUFD采用了先进的STripFET F7技术，具备极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，有助于提高系统效率并减少热损耗。其封装形式为TO-247，适合高功率密度设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：900V
漏极电流（ID）：80A
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.075Ω @ VGS = 10V
栅极电压（VGS）：±30V
功耗（PD）：250W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：TO-247
G80N90RUFD MOSFET具有多项显著特性，首先其采用STripFET F7超级结技术，使导通电阻极低，同时具备快速开关能力，从而减少开关损耗。这在高频率电源转换应用中尤为重要。其次，该器件具有出色的热稳定性，其最大工作温度可达+150°C，确保在高温环境下仍能稳定运行。此外，G80N90RUFD具有较高的雪崩能量承受能力，提高了器件在突发负载或短路情况下的可靠性。
该MOSFET的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，适用于高功率应用场景。其栅极驱动电压范围宽，支持10V至15V之间的驱动电压，便于与多种控制器配合使用。此外，G80N90RUFD的动态特性优化，包括低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），有助于提高开关速度并降低开关损耗，从而提升整体系统效率。
从可靠性角度来看，G80N90RUFD在设计时考虑了长期使用的稳定性，具备良好的抗短路能力和高温耐受性。其封装材料符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，符合现代电子制造的环保要求。此外，该器件还具备较低的电磁干扰（EMI）特性，有助于简化电路设计并提升系统稳定性。
G80N90RUFD MOSFET适用于多种高电压和高功率应用，例如AC-DC电源适配器、服务器电源、工业电源、LED驱动器、电池充电器、DC-DC转换器以及功率因数校正（PFC）电路。其高效率和低导通损耗特性使其成为开关电源（SMPS）中不可或缺的关键元件。此外，该器件也可用于电机控制、变频器、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等新兴领域。
STF80N90K5, STF80N90K5AG, FDPF80N90FS
