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IRL3302STRL 发布时间 时间:2025/6/16 19:43:00 查看 阅读:5

IRL3302STRL是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道逻辑电平增强型功率MOSFET。该器件采用SO-8封装形式,广泛应用于各种开关电源、电机驱动、负载开关等场景。其低导通电阻和高效率的特性使得它非常适合于需要高性能和低功耗的应用领域。
  IRL3302STRL的设计目标是提供高效的电流传输能力,并且在较低的栅极驱动电压下能够实现完全导通。此外,它还具有出色的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏电流:149A
  最大脉冲漏电流:550A
  栅源电压:±20V
  导通电阻(典型值,在Vgs=10V时):1.2mΩ
  总功耗:40W
  结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:SO-8

特性

IRL3302STRL以其卓越的性能著称,具体表现为:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),可显著降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 在低栅极驱动电压(如4.5V或更低)下依然能保持良好的导通状态,便于与现代数字逻辑电路配合使用。
  3. 高雪崩能量能力,提高了器件的鲁棒性和抗浪涌能力。
  4. 小尺寸SO-8封装使其易于集成到紧凑型设计中。
  5. 超宽的工作温度范围,适用于恶劣环境下的应用。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

IRL3302STRL适用于多种电力电子应用场合,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源中的同步整流器和DC-DC转换器。
  2. 各类电机驱动电路,例如步进电机、无刷直流电机等。
  3. 负载开关和保护电路,用于电池管理系统和便携式设备。
  4. 工业自动化控制中的功率级驱动。
  5. 汽车电子系统中的大电流开关。
  6. LED照明驱动电路,支持高效调光功能。

替代型号

IRL3803, IRLZ44N

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IRL3302STRL参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C39A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 23A,7V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs31nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 15V
  • 功率 - 最大57W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)