CEU07N65A 时间：2025/12/29 15:04:22 阅读：13

CEU07N65A是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压和高功率应用设计。该器件具有优良的导通特性和快速的开关速度，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种高效率电力电子系统。CEU07N65A采用了先进的平面工艺技术，具备高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：650V
　　最大漏极电流（Id）：7A（连续）
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.2Ω（典型值）
　　最大功率耗散：50W（取决于散热条件）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220
　　工艺技术：平面工艺
　　栅极电荷（Qg）：约20nC

特性

CEU07N65A的主要特性之一是其出色的导通性能。其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，使得开关速度更快，从而减少了开关损耗，适用于高频操作环境。
　　该MOSFET还具有良好的热稳定性和过热保护能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。其高耐压特性（650V Vds）使其适用于各种高电压电源转换应用，如AC-DC电源适配器、LED照明驱动器以及工业电机控制系统。
　　CEU07N65A的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，便于在标准PCB上安装和使用。该封装形式也使得该器件在实际应用中易于更换和维护，提高了系统的可靠性和可维护性。
　　此外，该MOSFET的栅极设计允许在较宽的栅极电压范围内工作，通常可在10V至20V之间驱动，确保了良好的导通性能和稳定性。其反向恢复特性也较为优异，有助于减少在桥式电路或同步整流应用中的损耗。

应用

CEU07N65A广泛应用于各类高电压和高功率电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED照明驱动器、工业电机控制电路、电池管理系统以及各种高效率电源模块。
　　在开关电源中，该器件可用作主开关，负责将输入的直流电压转换为高频交流信号，随后通过变压器进行电压变换和隔离。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高电源转换效率并减少热量产生。
　　在LED照明系统中，CEU07N65A可用于恒流驱动电路，确保LED光源的稳定亮度和长寿命。其高耐压特性也使其适用于高压LED灯串的驱动应用。
　　此外，该MOSFET还可用于电机控制和H桥驱动电路中，作为功率开关元件，实现对电机速度和方向的精确控制。