类型：NPN型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同等级）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOT-23

LMBT2506QLT3G具有多项优异的电气特性和设计优势，使其在多种应用中表现出色。
　　首先，该晶体管的增益带宽积高达100MHz，这使得它非常适合用于高频放大电路。此外，它的电流增益（hFE）范围广泛，从110到800不等，具体取决于器件的等级，这为设计人员提供了更大的灵活性，以满足不同电路设计的需求。
　　其次，LMBT2506QLT3G采用SOT-23封装，这是一种小型化封装方案，能够有效节省PCB空间，同时具备良好的热性能和机械稳定性。这对于高密度电路设计和便携式设备来说尤为重要。
　　第三，该器件通过了AEC-Q101认证，意味着其符合汽车电子系统的严格可靠性标准，适用于车载电子系统如发动机控制模块、车载娱乐系统、车身控制模块等。
　　此外，LMBT2506QLT3G的集电极-发射极击穿电压为40V，最大集电极电流为100mA，这使其能够在中低功率应用中可靠运行。其最大功耗为300mW，适用于多种中等功率电路设计。
　　最后，该晶体管具有良好的热稳定性和抗干扰能力，在各种环境条件下都能保持稳定的工作性能。

LMBT2506QLT3G 主要应用于需要高频性能和高可靠性的电路设计中。它广泛用于射频（RF）放大器、信号放大电路、开关控制电路以及模拟信号处理系统。
　　在通信设备中，该晶体管可用于低噪声放大器（LNA）或驱动放大器，提升信号质量和传输效率。
　　在汽车电子领域，由于其符合AEC-Q101标准，LMBT2506QLT3G常用于发动机控制单元（ECU）、车身控制模块（BCM）、车载娱乐系统（IVI）等关键部件中。
　　此外，该晶体管也适用于消费类电子产品，如音频放大器、传感器接口电路、LED驱动电路等，特别是在空间受限且需要高性能的场合。
　　工业控制系统中，LMBT2506QLT3G可用于信号调节、传感器数据处理、继电器驱动等应用，确保系统在恶劣环境下稳定运行。

BCX70G、MMBT2506LT3G、2N3904、PN2222A