类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：6.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：8-TSOP

CGA7718ZTR13采用了先进的TrenchFET技术，这使得它在保持小型封装的同时具备非常低的导通电阻，从而显著降低导通损耗并提高系统效率。其22mΩ的Rds(on)特性使其非常适合用于高电流应用，例如同步整流、DC-DC降压/升压转换器以及负载开关电路。此外，该MOSFET具有较高的栅极绝缘能力，可承受高达±20V的栅源电压，提高了在高压瞬态环境中的稳定性。
　　该器件的8-TSOP封装设计不仅节省空间，而且具备良好的热管理能力，适合在高密度PCB布局中使用。其额定工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种严苛环境条件下的稳定运行。
　　由于其高电流承载能力和低导通损耗，CGA7718ZTR13在电池供电设备中表现出色，可以有效延长电池寿命。此外，它的快速开关特性也有助于提高系统响应速度和整体效率。

CGA7718ZTR13广泛应用于多种电子设备和系统中，包括但不限于：
　　? 电源管理系统
　　? DC-DC转换器（降压、升压及反相）
　　? 负载开关电路
　　? 电机控制和驱动电路
　　? 电池供电设备（如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等）
　　? 工业自动化和控制系统
　　? 消费类电子产品
　　? 通信设备

Si2302DS、FDN304P、IRLML2402、AO3400A、FDN340P、FDS6680、Si2312DS