IXFH48N50 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电压、高电流的电力电子系统中。该器件设计用于高效能开关应用,如 DC-DC 转换器、电源供应器、电机控制、UPS(不间断电源)和焊接设备等。IXFH48N50 具有低导通电阻、高耐压能力和卓越的热性能,适合在高功率密度和高效率需求的应用中使用。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流(ID):48A
最大漏源电压(VDS):500V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):0.165Ω(最大)
功率耗散(PD):300W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-247AC
IXFH48N50 的核心特性之一是其优异的导通性能,导通电阻 RDS(on) 最大为 0.165Ω,这显著降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。该器件采用了先进的平面技术,使得其在高电压下依然能够保持良好的稳定性和可靠性。此外,IXFH48N50 提供了出色的热管理性能,TO-247AC 封装形式具备良好的散热能力,能够在高功率运行条件下保持较低的工作温度。
该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和高耐压特性,能够在极端工况下提供稳定的性能。其高栅极阈值电压(VGS(th))通常在 2V 到 4V 之间,使得器件在栅极控制方面更加稳健,减少了误触发的可能性。IXFH48N50 的封装设计便于安装在散热器上,提高了系统的热稳定性,适用于各种高功率工业和电源应用。
IXFH48N50 广泛应用于多种高功率电力电子系统中,包括但不限于:
? 工业电源和 DC-DC 转换器
? 高压电源供应器
? 不间断电源(UPS)系统
? 电机驱动与控制
? 焊接设备
? 太阳能逆变器和储能系统
? 功率因数校正(PFC)电路
? 各类需要高电压和高电流切换能力的电源管理系统。
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