时间：2025/12/29 15:19:28
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G7N60C 是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性等优点，适合用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电池管理系统（BMS）以及其他需要高效功率控制的场合。
类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：600V
最大漏极电流（ID）：7A
导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（最大值，VGS=10V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2~4V
最大功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
G7N60C MOSFET具有多项优良的电气特性，首先其高耐压能力（600V）使其适用于中高压功率电路。其低导通电阻（RDS(on)）在典型工作条件下（VGS=10V）可保持在1.2Ω以下，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
此外，该器件具备良好的热稳定性和过热保护能力，能够在高负载条件下稳定运行。G7N60C的快速开关特性降低了开关损耗，适用于高频开关电源设计。其标准TO-220封装形式便于散热和安装，适合广泛应用于工业控制、电源适配器、LED驱动器、电机控制等场景。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（2~4V的阈值电压），兼容多种驱动电路设计，提高了使用的灵活性。同时，其良好的雪崩击穿能力和抗过载能力进一步增强了器件的可靠性和耐用性。
G7N60C 主要用于各类功率电子设备中，例如：开关电源（SMPS）、DC-DC变换器、AC-DC整流器、电机驱动器、电池充电器、LED照明驱动电路、工业自动化控制系统、家电电源模块等。
在这些应用中，G7N60C能够有效实现电能的高效转换与控制，满足对高效率、小体积和高稳定性的设计需求。
FQP7N60C, IRF7N60C, STP7NK60Z, 2SK2545
