时间：2025/6/11 11:43:11
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G75P04K是一种高性能的MOSFET功率晶体管，主要用于开关和放大应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性。它适用于各种电源管理场景，如电机驱动、DC-DC转换器和开关电源等领域。
该器件属于N沟道增强型MOSFET，其设计旨在提供高效能和可靠性，同时支持较高的负载电流。G75P04K通常以表面贴装形式封装，便于自动化生产，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等行业。
最大漏源电压：75V
连续漏极电流：4A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：12nC
总功耗：3W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
G75P04K具有以下显著特点：
1. 高击穿电压：能够承受高达75V的工作电压，确保在高压环境下的稳定性。
2. 低导通电阻：仅为40mΩ，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷（12nC）使得器件能够在高频下工作，适合于高频开关电路。
4. 宽工作温度范围：支持从-55℃到+150℃的工作温度区间，适应多种极端环境。
5. 热稳定性：具备良好的热性能，能在高温环境下保持可靠运行。
6. 表面贴装封装：方便集成到现代电子产品中，适合大规模自动化生产。
G75P04K适用于多种电力电子应用，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 消费类电子产品中的电源管理
5. 工业自动化设备中的负载切换
6. 汽车电子中的电池管理系统
由于其高效率和可靠性，G75P04K成为这些领域中不可或缺的关键元件。
IRFZ44N
STP16NF06
FDP5800
