时间：2025/4/30 16:45:05
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FGL40N120ANDTU 是一款 N 沃特型功率场效应晶体管（MOSFET），专为高电压和高效率应用设计。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和优异的开关性能，适用于工业、汽车和消费类电子设备中的开关电源、逆变器和电机驱动等场景。
这款 MOSFET 的额定电压为 1200V，连续漏极电流为 40A，能够承受高电压和大电流的工作条件，同时提供出色的热稳定性和可靠性。
额定电压：1200V
连续漏极电流：40A
导通电阻：85mΩ（典型值，最大值 110mΩ，@ VGS=15V）
栅极电荷：75nC（典型值）
反向恢复时间：60ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
FGL40N120ANDTU 具有以下显著特点：
1. 高电压耐受能力，适合高压环境下的应用。
2. 超低导通电阻，减少导通损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度，降低开关损耗。
4. 优化的栅极驱动特性，简化电路设计。
5. 出色的热稳定性，能够在高温条件下长时间运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
这些特性使得 FGL40N120ANDTU 成为高压功率转换和控制的理想选择。
FGL40N120ANDTU 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 太阳能逆变器和风能发电系统的功率转换模块。
3. 电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）的电机驱动和车载充电器。
4. 工业自动化设备中的变频器和伺服驱动器。
5. 不间断电源（UPS）系统。
6. 高压照明和 LED 驱动电路。
其高电压和大电流处理能力，使其特别适合需要高可靠性和高效能的应用场景。
FGL40N120ANDBTU, IRGB40B120D2, C2M0080120D
