时间：2025/7/26 17:12:27
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G5808RE1U 是一款由 Renesas Electronics 生产的功率MOSFET晶体管，广泛应用于各种电力电子设备中，如电源转换器、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。该器件采用先进的沟槽式功率MOSFET技术，具备低导通电阻和高效率的特点，适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：8A
最大漏源电压（VDS）：30V
导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：26nC
封装类型：TO-252（DPAK）
G5808RE1U 具备以下关键特性：
1. **低导通电阻**：该MOSFET的导通电阻仅为18mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。
2. **高电流能力**：可承受高达8A的连续漏极电流，适合中高功率应用。
3. **快速开关特性**：栅极电荷较低，仅26nC，支持快速开关操作，减少开关损耗。
4. **热稳定性优异**：在高负载条件下仍能保持稳定运行，具备良好的热性能。
5. **紧凑封装**：采用TO-252（DPAK）封装，便于散热和安装，适用于空间受限的设计。
6. **可靠性高**：符合RoHS环保标准，适用于工业级和汽车级应用环境。
G5808RE1U MOSFET广泛应用于多个领域，包括：
1. **电源管理系统**：如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。
2. **电机控制**：用于无刷直流电机驱动、步进电机控制器等。
3. **电池供电设备**：如笔记本电脑、平板电脑、便携式充电器等。
4. **工业自动化**：适用于工业电源、PLC控制模块等。
5. **汽车电子**：用于车载电源转换系统、电动助力转向系统等。
Si4406ADY、IRF7409、FDMS86101、NTMFS4C06N
