类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4.0A（VGS = 10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大220mΩ（VGS = 10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TSOP
　　功率耗散（PD）：1.25W

PQ1K333M2ZPH具有多项优异的电气和物理特性，使其在功率电子系统中表现突出。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。在4A电流下，仅220mΩ的RDS(on)意味着更低的功耗和更少的热量产生。
　　其次，该MOSFET具备较高的栅极驱动兼容性，支持常见的10V逻辑电平驱动电路，便于与PWM控制器或微处理器配合使用。同时，其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。
　　该器件的TSOP封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，还具备良好的散热能力。在标准工作条件下，其热阻（Rth）较低，可有效将热量传导至PCB，从而延长器件的使用寿命并提升系统稳定性。
　　PQ1K333M2ZPH还具备优异的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在瞬态过压或过流情况下保持稳定运行，适用于工业自动化、消费电子和车载设备等多种应用场景。

PQ1K333M2ZPH广泛应用于多种功率电子系统中。在电源管理领域，常用于DC-DC转换器、同步整流器和电池充电电路，以提高能效和减小电路尺寸。在电机控制方面，该器件可用于H桥驱动电路，实现对小型直流电机或步进电机的高效控制。
　　此外，该MOSFET也常用于负载开关电路中，作为高侧或低侧开关，控制电源对负载的供给，适用于便携式设备的电源管理模块。在LED驱动和照明控制中，该器件可作为恒流调节开关，实现高稳定性和低功耗的照明系统。
　　由于其具备良好的热特性和高可靠性，PQ1K333M2ZPH也广泛应用于汽车电子系统，如车身控制模块、车载充电器和辅助电机驱动电路中。

Si2302DS、FDN340P、2N7002、AO3400A、IRLML2402