BAS40C R1 是一款常用的表面贴装硅肖特基二极管阵列,广泛用于低电压和高频开关应用。该器件由四个独立的肖特基二极管组成,每个二极管具备低正向压降和快速恢复时间的特性,适用于电源管理、信号整流和电压钳位等多种电路设计。
型号:BAS40C R1
封装类型:SOT-23
最大正向电流:100 mA(每个二极管)
峰值反向电压:30 V
正向电压降:最大 0.35 V @ 10 mA
反向漏电流:最大 100 nA @ 25°C
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
结电容:典型值 5 pF
安装类型:表面贴装
BAS40C R1 的主要特性之一是其集成四个肖特基二极管在一个紧凑的 SOT-23 封装中,极大地节省了 PCB 空间,适合高密度电路设计。
每个二极管具有低正向压降(通常在 0.3V 左右),这有助于减少功率损耗并提高整体效率,特别适合低电压系统如 3.3V 和 5V 电源轨的应用。
该器件具备快速恢复时间,通常在纳秒级别,适用于高频开关电路,如 DC-DC 转换器、负载开关和信号整流等场景。
BAS40C R1 的工作温度范围宽广,从 -55°C 到 +150°C,使其能够在各种工业和汽车环境中稳定运行。
此外,其低结电容(典型值为 5 pF)确保了在高频信号路径中的最小干扰,适用于射频(RF)信号处理和高速数据线路的保护。
由于其低漏电流特性(最大 100 nA),在高温环境下仍能保持良好的反向阻断能力,确保系统的可靠性和稳定性。
BAS40C R1 广泛应用于多种电子系统中,特别是在需要高效能、小体积和高频响应的场合。
在电源管理电路中,该器件常用于 DC-DC 转换器、负载开关和反向极性保护,其低正向压降和快速恢复时间有助于提高电源转换效率。
在数字和模拟电路中,BAS40C R1 可用作信号整流器、电压钳位器和隔离器,以保护敏感的后级电路免受过电压或反向电流的影响。
此外,该器件也常用于通信设备中的信号路径切换和保护,例如在 RS-485、CAN 总线等工业通信接口中,防止静电放电(ESD)和瞬态电压造成的损坏。
在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,BAS40C R1 可用于电池保护电路、充电管理以及 USB 接口的信号整流和保护。
在汽车电子系统中,例如车载信息娱乐系统、传感器模块和车身控制单元中,BAS40C R1 提供可靠的电压钳位和反向保护功能,确保系统在恶劣电气环境下的稳定运行。
BAS40-04W R1, BAS40-04T R1, SMBJ30CA, BAT54C, BAS40C-7-F