时间：2025/5/7 13:46:25
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G4ATB102M 是一种基于陶瓷材料制造的多层片式电容器（MLCC），广泛应用于高频滤波、耦合和旁路等电路中。该型号属于高容值、小尺寸系列，具有良好的温度稳定性和低ESL特性。其采用X7R介质，具备优异的容量稳定性，在不同的温度和电压条件下表现稳定。
容量：1.0μF
额定电压：6.3V
封装：0402英寸
介质类型：X7R
公差：±10%
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
直流偏置特性：低
阻抗：高
耐湿等级：Level 1
频率特性：适用于高频应用
G4ATB102M 使用X7R介质，能够在较宽的温度范围内保持稳定的容量性能。它的小尺寸封装使其非常适合用于空间受限的设计场景，同时其低ESL设计能够有效减少寄生效应，从而优化高频电路中的表现。
此外，这款电容器具有良好的自愈特性，即使在极端环境或长期使用下也能保持可靠的性能。其支持表面贴装技术（SMT），安装方便且效率高，适合大规模生产需求。
G4ATB102M 主要应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。典型的应用包括电源滤波、信号耦合、射频模块中的谐振与匹配网络、音频放大器的旁路电容以及数据处理芯片的去耦。由于其出色的温度特性和高频表现，它也常被用于汽车电子系统和物联网设备中。
GCM1885X7R1H105K01A
GJM1885X7R1E105K01A
KEMCAP105K63X7R0402
