类型：MOS FET继电器（光继电器）
　　输入正向电流（IF）：50mA
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输出耐压（VDS）：60V
　　连续通态电流（IO）：500mA
　　导通电阻（RON）：典型值8Ω，最大12Ω
　　隔离电压（Viso）：5000Vrms（1分钟）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TSON4（小型无引线表面贴装）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　响应时间（开）：典型值0.3ms
　　响应时间（关）：典型值0.2ms

G3VM-WF TR的核心特性在于其基于光控MOSFET的固态继电器架构，提供了卓越的电气隔离性能和稳定的开关行为。该器件的输入侧采用高效率红外LED，在50mA的驱动电流下即可可靠触发输出端的MOSFET导通，满足大多数微控制器I/O口的直接驱动需求，无需额外的驱动电路，简化了系统设计并降低了功耗。其输出端采用一对背对背连接的N沟道功率MOSFET结构，能够安全地切换交流或直流负载，适用于多种电源类型的控制场景。
　　该器件的导通电阻低至8Ω（典型值），确保在500mA负载电流下仅有较小的压降和功率损耗，有助于提升能效并减少散热需求。同时，60V的漏源耐压能力使其适用于低压电源系统中的开关应用，如电池管理系统、传感器供电控制、音频信号路由等。高达5000Vrms的隔离电压保证了控制电路与负载电路之间的高绝缘强度，有效防止高压窜入敏感逻辑电路，增强了系统的安全性和抗干扰能力。
　　G3VM-WF TR采用TSON4小型封装，尺寸紧凑，适合高密度PCB布局，特别适用于便携式设备和空间受限的应用场合。其无铅环保设计符合RoHS标准，支持现代绿色制造要求。由于没有机械触点，该器件抗振动、抗冲击能力强，可在恶劣环境中长期稳定运行，避免了传统继电器因触点氧化、弹跳等问题导致的失效风险。此外，其毫秒级的开关响应速度远高于电磁继电器，适用于需要频繁通断或精确时序控制的应用场景，如自动测试设备（ATE）、数据采集系统和多路复用器控制等。

G3VM-WF TR广泛应用于各种需要高可靠性、小体积和低功耗开关控制的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC模块、I/O扩展板和传感器信号切换，实现对现场设备的安全隔离控制。在测试与测量设备中，作为多路复用开关用于信号路径的选择，因其低导通电阻和高重复性可保证测量精度。在通信系统中，可用于音频或低频模拟信号的路由切换，避免信号失真和串扰。
　　在医疗电子设备中，得益于其高隔离电压和无电磁干扰特性，G3VM-WF TR被用于病人监护仪、便携式诊断设备中的电源或信号隔离控制，保障使用者安全。在消费类电子产品中，可用于电池供电设备的电源管理模块，实现负载的按需供电以延长续航时间。此外，在汽车电子系统中，该器件可用于车载信息娱乐系统的音频通道切换或辅助电源控制，满足车规级环境下的稳定性要求。
　　由于其表面贴装封装和自动化生产兼容性，G3VM-WF TR也适用于大规模SMT生产线，提升了制造效率和产品一致性。总体而言，任何需要替代传统电磁继电器、追求更高寿命、更小体积和更安静运行的场合，都是G3VM-WF TR的理想应用领域。

G3VM-61VY,G3VM-61GL,G3VM-61GR2