类型：MOS FET输出型光耦继电器
　　封装形式：S-VSON4
　　外形尺寸（长×宽×高）：2.1mm × 2.1mm × 1.85mm
　　输入正向电流（IF）：50mA（最大）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输出导通电阻（RON）：典型值9Ω，最大15Ω
　　输出耐压（VOFF）：60V（最大）
　　输出连续通态电流（IO）：360mA（最大）
　　输出峰值电流（IOP）：720mA（最大）
　　隔离电压（Viso）：5000Vrms（最小）
　　工作温度范围：-40°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　回路电容：约2pF
　　开通时间（tON）：约0.2ms
　　关断时间（tOFF）：约0.2ms
　　输入LED波长：约940nm

G3VM-601G1的核心特性之一是其超小型S-VSON4封装，在保持高性能的同时极大节省了PCB空间，特别适合便携式设备和高集成度电子产品。其采用的光控MOSFET技术使得输出端无需外部电源即可工作，简化了电路设计并降低了系统复杂性。该器件具有非常低的导通电阻（典型值仅为9Ω），这意味着在导通状态下功耗极小，减少了发热问题，提高了能效。同时，低导通电阻也使其能够承载相对较大的负载电流，满足多种功率控制需求。
　　另一个显著特点是其双向开关能力。由于内部采用两个MOSFET背对背连接，G3VM-601G1可以安全地控制交流信号或双向直流负载，广泛应用于模拟信号切换、音频线路控制和电池管理系统等领域。此外，该器件具备高达5000Vrms的电气隔离能力，确保了输入控制侧与输出负载侧之间的安全隔离，有效防止高压窜入低压控制电路，提升了系统的安全性。
　　G3VM-601G1还具有优异的抗干扰能力和稳定性。由于没有机械触点，不会出现接触抖动、弹跳或氧化等问题，保证了长期使用的可靠性。其开关寿命理论上可达数十亿次，远高于传统电磁继电器。同时，该器件响应速度快，开通和关断时间均约为0.2毫秒，适用于需要高速切换的应用场景，如自动测试设备中的信号路由切换。
　　在环境适应性方面，G3VM-601G1支持-40°C至+110°C的工作温度范围，能够在高温工业环境中稳定运行。其无铅、符合RoHS指令的设计也符合现代绿色电子产品的环保要求。此外，该器件还具有低输入驱动功率的优势，仅需较小的LED驱动电流即可实现可靠触发，兼容常见的逻辑电平驱动电路，便于与微控制器、FPGA等数字系统直接接口。

G3VM-601G1广泛应用于需要小型化、高可靠性和快速响应的电子控制系统中。在工业自动化领域，常用于PLC模块、传感器接口、电磁阀驱动和远程I/O单元中的信号切换与隔离。在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、数据采集系统和多路复用器，其高速开关特性和低导通电阻使其成为理想的模拟开关元件，可用于精确控制信号路径。
　　在通信设备中，G3VM-601G1可用于程控交换、线路切换和射频信号通断控制，得益于其低电容（约2pF）和低漏电流特性，对高频信号的影响极小。在医疗电子设备中，如监护仪、诊断仪器和便携式治疗设备，其高隔离电压和无机械噪声的特性确保了患者安全和信号纯净度。
　　此外，该器件也适用于消费类电子产品，如智能家电、智能家居控制模块和音频设备中的静音开关或音源选择。在电池管理系统（BMS）和新能源应用中，可用于电池单元的充放电控制和均衡管理。由于其SMD封装形式，支持自动化贴片生产，适合大批量制造，广泛用于现代电子产品的批量装配流程中。

G3VM-601G2
　　G3VM-401A