类型：MOS FET继电器（双向）
　　输入类型：LED
　　输出类型：双MOSFET（背对背）
　　通道数：1
　　最大负载电压（VDSON）：60V
　　最大连续通态电流（IO）：120mA
　　导通电阻（RON）：典型值9Ω，最大15Ω
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms
　　响应时间（Ton/Toff）：典型值0.3ms / 0.2ms
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　输入正向电流（IF）：最大50mA
　　输入反向电压（VR）：5V
　　消耗功率（PC）：200mW
　　封装类型：TSON-5（超薄小外形无引线）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

G3VM-601DY(TR)具备多项优异的技术特性，使其在现代电子系统中成为理想的信号切换元件。首先，其输出端采用双MOSFET结构，能够在导通状态下提供极低的导通电阻（典型值仅为9Ω），从而显著降低信号路径上的电压降和功率损耗，确保信号完整性，特别适用于精密模拟信号或微弱电流的传输场景。其次，该器件实现了高达5000Vrms的输入与输出隔离电压，提供了卓越的电气安全性和抗干扰能力，有效防止高压窜入低压控制电路，保护后级系统免受损坏。此外，作为固态继电器，G3VM-601DY(TR)无机械触点，避免了传统电磁继电器常见的弹跳、磨损和电弧问题，极大地延长了使用寿命，并可在高振动或高冲击环境中稳定运行。
　　该器件的输入端仅需较低的LED驱动电流（通常5~10mA即可可靠触发），兼容TTL或CMOS逻辑电平，便于与微控制器、FPGA或其他数字控制单元直接接口，无需额外的驱动电路。其快速的开关响应时间（导通约0.3ms，关断约0.2ms）支持高频切换操作，在自动测试设备（ATE）或多路复用系统中可提升整体测试效率。TSON-5封装不仅体积小巧（典型尺寸约为2.1mm × 3.0mm × 0.9mm），还具备良好的热传导性能，有助于在紧凑布局中实现高效散热。器件符合RoHS环保标准，无卤素，适用于绿色电子产品制造。值得一提的是，G3VM-601DY(TR)在关断状态下具有极高的阻断能力，漏电流极小（nA级），确保负载完全断开，防止意外功耗或信号串扰。综合这些特性，G3VM-601DY(TR)是一款高性能、高可靠性且易于集成的固态继电器解决方案。

G3VM-601DY(TR)广泛应用于多种需要安全隔离与精确信号控制的电子系统中。在自动测试设备（ATE）和半导体测试系统中，它常用于多路复用器或矩阵开关模块中，实现对被测器件（DUT）的电源或信号路径的快速、可靠切换，得益于其低RON和高隔离性，可保证测试精度并防止通道间串扰。在工业自动化控制系统中，该器件可用于PLC模块、I/O扩展板或传感器信号调理电路中，作为直流信号或低功率负载的隔离驱动元件，替代笨重且易损的电磁继电器，提高系统稳定性与维护周期。通信设备中，如交换机、路由器或基站模块，G3VM-601DY(TR)可用于电源管理或信号路由切换，其低噪声和无触点特性有助于维持通信链路的稳定性。
　　在医疗电子设备中，例如病人监护仪、便携式诊断仪器或成像系统，该继电器可用于隔离高压部分与操作人员接触区域，满足严格的安全规范要求。消费类高端电子产品中，如智能仪表、音频切换器或电池管理系统（BMS），也可利用其小型化和低功耗优势实现功能集成。此外，在数据采集系统（DAQ）中，G3VM-601DY(TR)常被用于多通道模拟输入的选择开关，确保每个通道的信号在未选通时完全隔离，避免引入误差。由于其支持双向导通，还可用于H桥电路或极性反转控制等特殊应用场景。总体而言，凡是需要高可靠性、小体积、低功耗和电气隔离的信号切换任务，G3VM-601DY(TR)都是一个理想选择。

G3VM-61GL(TR)
　　G3VM-41GR(TR)
　　TSZ111
　　ADG5412BRUZ