输入类型：LED
　　正向电压（VF）：典型1.2V，最大1.5V（IF=5mA）
　　输入电流（IF）：最大60mA，推荐工作电流5-20mA
　　输出类型：双MOSFET（背对背连接）
　　负载电压（VOFF）：最大40V
　　连续通态电流（ION）：最大480mA（常温下）
　　通态电阻（RON）：典型4Ω，最大7Ω
　　隔离电压：1500Vrms
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　封装形式：TSON-4 或类似小型表面贴装封装
　　响应时间（Turn-ON / Turn-OFF）：典型0.3ms / 0.2ms
　　尺寸：约2.0 x 2.5 x 1.0mm（典型）

G3VM-4N的核心特性之一是其基于光耦合MOSFET的输出结构，这种设计通过红外LED激发光敏栅极，从而控制两个背对背连接的功率MOSFET的导通状态，实现无触点开关功能。由于没有机械部件，该器件具备极高的耐用性和可靠性，可承受数十亿次的开关操作而不会出现性能退化，远超传统电磁继电器的寿命。同时，其输入驱动电流极低，仅需几毫安即可点亮内部LED，因此非常适合由微控制器、逻辑门电路或低功耗驱动器直接驱动，无需额外的驱动晶体管或缓冲电路，简化了系统设计并降低了整体功耗。
　　另一个显著特点是其输出端的低导通电阻（RON），典型值仅为4Ω，这使得在通过数百毫安电流时产生的压降和功耗都非常小，有效减少了发热并提高了能效。这对于空间受限或散热条件不佳的应用尤为重要。此外，由于MOSFET的双向导通特性，G3VM-4N可以用于切换交流或直流信号，且在断开状态下具有较高的阻断能力（最大40V），适用于多种低电压信号切换场景。器件还具备良好的电气隔离性能，输入与输出之间可承受高达1500Vrms的隔离电压，确保系统安全并防止噪声干扰传播。
　　在动态性能方面，G3VM-4N表现出极快的开关速度，开启和关断时间均在毫秒以内，特别适合需要快速响应的精密控制或高频切换应用。其小型化表面贴装封装不仅节省PCB空间，还增强了抗振动和冲击的能力，适用于移动设备或工业现场等恶劣环境。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环保和可靠性的双重需求。

G3VM-4N广泛应用于需要小型化、低功耗和高可靠性的电子控制系统中。在通信设备中，它常用于模拟或数字信号的路由切换，例如在多通道数据采集系统或多路复用器中作为信号通路的开关元件。在工业自动化领域，该器件可用于PLC模块、传感器接口、远程I/O单元中的低电压信号控制，替代传统机械继电器以提高系统稳定性和维护周期。测试与测量仪器也大量采用G3VM-4N，用于自动测试设备（ATE）中的通道切换、电源通断控制或继电器矩阵构建，其长寿命和精确开关特性有助于提升测试精度和设备可用性。
　　在医疗电子设备中，由于其高隔离性和无电磁干扰的特性，G3VM-4N被用于患者监护仪、便携式诊断设备或实验室分析仪器中的安全隔离开关，保障操作人员和患者的安全。消费类电子产品如智能家居控制模块、音频切换器、USB信号切换等场景也能见到其身影，特别是在需要静音操作和长寿命的场合。此外，在电池供电设备或物联网终端中，G3VM-4N的低驱动电流和低静态功耗特性使其成为理想的电源管理开关，可用于切断外设电源以延长待机时间。其小型封装也便于集成到紧凑型模块或可穿戴设备中，满足现代电子产品对微型化和高性能的持续追求。

G3VM-6GR7,G3VM-6HV1,G3VM-4AX2