时间：2025/6/27 12:40:43
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HH21N270G101CT是一款高性能的MOSFET功率器件，采用N沟道增强型设计。该芯片适用于高效率开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高频开关的应用场景。其优化的导通电阻和低栅极电荷特性使其在功率转换应用中表现出色。
该型号采用了先进的制造工艺，确保了器件在高温环境下的稳定性和可靠性。此外，它还具有出色的热性能，能够有效降低功耗并提升整体系统效率。
最大漏源电压：270V
连续漏极电流：10A
导通电阻：0.18Ω
栅源开启电压：2.1V~4.5V
总栅极电荷：35nC
结温范围：-55℃~175℃
封装形式：TO-220
HH21N270G101CT的主要特性包括：
1. 高耐压能力，适合高压应用场景；
2. 低导通电阻设计，减少传导损耗；
3. 快速开关速度，支持高频工作模式；
4. 良好的热性能，确保长时间稳定运行；
5. 宽工作温度范围，适应恶劣环境条件；
6. 封装形式兼容性强，便于设计集成；
7. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
HH21N270G101CT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件；
2. DC-DC转换器的核心功率器件；
3. 电机驱动电路中的控制开关；
4. 太阳能逆变器及储能系统的功率管理模块；
5. 工业自动化设备中的负载切换；
6. 汽车电子系统中的电源管理部分；
7. 各类消费电子产品中的高效功率转换组件。
IRFZ44N
FQP17N20
STP10NK50Z
AO3400
