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MJE3439 发布时间 时间:2025/12/29 14:19:35 查看 阅读:12

MJE3439是一款PNP型功率晶体管,采用TO-220封装。该器件广泛应用于功率放大器、开关电源以及电机控制等高功率场合。MJE3439具有较高的电流增益和较大的集电极电流容量,能够承受较高的工作电压和较大的负载功率。该晶体管设计用于低频功率放大和开关应用,具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

晶体类型:PNP
  最大集电极-发射极电压(Vceo):300V
  最大集电极电流(Ic):3A
  最大功耗(Ptot):25W(在Tamb=25℃时)
  电流增益(hFE):在Ic=100mA时为50~250(具体数值因分档而异)
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220

特性

MJE3439具有良好的热稳定性和较高的电流增益,能够在高温环境下稳定工作。该晶体管具备较高的耐压能力和较大的集电极电流容量,适用于中等功率的开关和放大应用。其TO-220封装便于安装散热片,有助于提高器件的散热性能。MJE3439的基极-发射极电压较低,使其在低电压驱动电路中也能有效工作。此外,该晶体管的频率响应较好,适合用于音频功率放大器等低频应用。
  MJE3439还具备较强的抗过载能力,能够在短时间内承受超过额定值的电流和功率,适用于需要瞬时高负载能力的场合。其结构设计优化了内部电流传导路径,降低了热阻,提高了整体的可靠性。

应用

MJE3439常用于音频功率放大器、电机驱动电路、开关电源、稳压电源、逆变器以及各种功率控制电路。该晶体管也可作为达林顿对管的一部分,用于提高整体的电流增益和负载驱动能力。在工业控制和消费类电子产品中,MJE3439被广泛用于需要中等功率放大的场合。

替代型号

MJE3536, MJE3440, BD136, BD138

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MJE3439参数

  • 制造商ON Semiconductor
  • 产品种类Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO350 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO5 V
  • 最大直流电集电极电流0.3 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min30
  • 配置Single
  • 最大工作频率15 MHz
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-225-3
  • 封装Bulk
  • 集电极连续电流0.3 A
  • 最小工作温度- 65 C
  • 功率耗散15 W
  • 工厂包装数量500