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G3VM-4N IC 发布时间 时间:2025/12/27 2:37:54 查看 阅读:7

G3VM-4N IC 是由松下(Panasonic)公司生产的一款光耦继电器(PhotoMOS Relay),属于其G3VM系列中的常开型(Normally Open, NO)单极单掷(SPST)固态继电器。该器件结合了输入侧的发光二极管(LED)与输出侧的功率MOSFET结构,通过光控方式实现电气隔离控制。G3VM-4N IC 采用小型表面贴装封装(如S-MINI或类似尺寸封装),适用于需要高密度PCB布局和低功耗驱动的应用场景。它无需外部电源即可工作,仅通过输入LED的导通来控制输出端MOSFET的开关状态,具有无触点、寿命长、响应速度快、抗振动性强等优点。由于其输出端为双向导通设计,可支持交流或直流负载控制,在自动化控制、测试设备、通信系统以及医疗仪器中广泛应用。此外,该器件符合RoHS环保标准,适合现代绿色电子产品设计需求。

参数

类型:常开型(NO)
  通道数:1
  输入正向电流(IF):50 mA
  输入反向电压(VR):5 V
  输出导通电阻(RON):典型值 0.22 Ω
  输出耐压(VOFF):60 V
  最大负载电流(IO):2 A
  隔离电压(Viso):5000 Vrms
  响应时间(ON):0.3 ms 典型值
  响应时间(OFF):0.2 ms 典型值
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  存储温度范围:-55°C 至 +125°C
  封装类型:S-MINI(超小型表面贴装)

特性

G3VM-4N IC 的核心特性之一是其基于PhotoMOS技术的无触点开关机制,这种机制利用输入侧LED发出的光触发输出侧的功率MOSFET导通,从而实现完全电气隔离的信号与功率传输。由于没有机械触点,该器件避免了传统电磁继电器常见的电弧、接触抖动、磨损等问题,极大地提升了系统的可靠性和使用寿命。其输出端采用一对背对背连接的N沟道MOSFET结构,使得电流可以在两个方向上自由流通,因此能够用于交流或直流负载的控制,灵活性远高于普通二极管或晶体管开关。
  另一个显著特点是极低的导通电阻(典型值仅为0.22Ω),这不仅降低了在大电流下的功率损耗和温升,还提高了整体能效,特别适合电池供电或对热管理敏感的应用环境。同时,该器件支持高达2A的连续负载电流,并可在60V的断态电压下安全关断,具备良好的负载适应能力。响应速度方面,开通时间仅需0.3ms,关断时间为0.2ms,相较于传统电磁继电器快数十倍,适用于需要快速切换的精密控制系统。
  该器件的输入驱动非常简单,只需提供5mA至50mA的LED驱动电流即可确保稳定导通,兼容TTL、CMOS逻辑电平以及微控制器直接驱动,简化了电路设计。其高达5000Vrms的输入-输出隔离电压确保了在高压环境下的安全性,满足工业级绝缘要求。此外,S-MINI封装尺寸小巧,占用PCB面积小,有利于高密度集成,且支持回流焊工艺,便于自动化生产。整体设计兼顾性能、可靠性与可制造性,使其成为替代小型信号继电器的理想选择。

应用

G3VM-4N IC 广泛应用于各类需要安全隔离与高效开关控制的电子系统中。在工业自动化领域,常用于PLC模块、I/O接口板、传感器信号切换以及小型执行器控制电路中,因其高可靠性和抗干扰能力而备受青睐。在测试与测量设备中,如自动测试仪(ATE)、数据采集系统或多路复用开关阵列,该器件可用于精确地切换电压或电流信号路径,保证信号完整性。
  在通信设备中,G3VM-4N IC 可用于音频/视频信号路由、线路切换或电源管理单元中的负载开关,其低导通电阻和双向导通特性非常适合模拟信号传输场景。医疗电子设备也广泛采用此类固态继电器,例如病人监护仪、便携式诊断设备等,以满足严格的电气安全和长期稳定性要求。
  此外,在消费类电子产品和智能家居控制系统中,该器件可用于灯光调光、电机启停、加热元件控制等功能模块,尤其适合空间受限但要求高性能的小型化设计。由于其无噪声运行、无电磁干扰发射的特点,也适用于对EMI敏感的精密电子环境。总之,任何需要静音、长寿命运行且具备电气隔离功能的开关场合,G3VM-4N IC 都是一个理想的技术解决方案。

替代型号

G3VM-61VY

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