CMSH3-60M 是一款由 Central Semiconductor 生产的高频、高功率、MOSFET 射频(RF)晶体管,主要用于射频功率放大器应用。这款晶体管专为在60 MHz频段附近运行的通信设备而设计,能够提供较高的输出功率和效率。CMSH3-60M 通常用于广播、业余无线电(Ham Radio)放大器、工业和科学仪器等应用。它采用坚固的金属封装,具备良好的散热性能,适用于各种高功率射频应用场景。
类型:射频功率MOSFET
频率范围:1.8 MHz - 60 MHz
最大工作频率:60 MHz
最大漏极电压:50V
最大漏极电流:15A
最大功耗:250W
增益:约14 dB(典型值)
输出功率:约125W CW
输入驻波比(VSWR):2.5:1 最大
封装类型:金属 TO-220AB
工作温度范围:-65°C 至 +150°C
CMSH3-60M 具备多项优异的电气和机械特性,适用于高要求的射频功率放大场合。其核心特性之一是宽频率覆盖范围,能够在1.8 MHz到60 MHz之间高效工作,使其适用于多种HF(高频)和VHF(甚高频)应用。该器件采用先进的横向金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS)技术,提供高线性度、高效率和良好的热稳定性。
该晶体管具有较高的输入阻抗和较低的输出阻抗,有助于简化匹配网络的设计。其典型增益为14dB,输出功率可达125W连续波(CW)模式,适合用于多级放大器的末级放大。此外,CMSH3-60M 还具备较高的抗失真能力和良好的互调性能,确保在多信号环境中保持高质量的信号放大。
在封装方面,CMSH3-60M 使用 TO-220AB 类型的金属封装,具有优异的散热性能和机械强度。这种封装方式也有助于提高器件在高功率操作下的可靠性。其工作温度范围宽达-65°C至+150°C,适合在各种恶劣环境条件下运行。
CMSH3-60M 主要用于需要在60 MHz频段内进行高效射频放大的设备中。典型应用包括业余无线电放大器、短波广播发射机、工业测试设备以及各类通信系统中的射频功率放大模块。该器件也常用于多频段 HF/VHF 放大器设计,作为末级放大器提供高输出功率和稳定性。
在业余无线电领域,CMSH3-60M 常被用于构建 HF 波段的QRP(低功率)或QRO(高功率)放大器,能够有效提升发射信号的强度。在广播行业,该晶体管可用于FM广播发射机的中间级或末级放大器,提供高保真度和稳定的输出。
此外,该器件也适用于实验室测试设备,如信号发生器和频谱分析仪中的功率放大部分。由于其宽频带特性和良好的热管理性能,CMSH3-60M 在各种需要高可靠性和高性能的射频系统中都表现出色。
RD16HHF1, MRF151G, BLF177