类型：MOS FET输出光电耦合器
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出耐压（VDS）：60 V
　　连续通态电流（IO）：120 mA
　　导通电阻（RON）：典型值 7 Ω，最大值 10 Ω
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms
　　响应时间（Turn-on Time）：典型值 1 ms
　　响应时间（Turn-off Time）：典型值 0.5 ms
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SSIP（Shrink Small In-line Package）4引脚
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　尺寸：约 3.8 × 3.8 × 2.2 mm

G3VM-6F的核心特性之一是其基于MOS FET的输出结构，这种设计使其具备双向导通能力，能够用于切换交流或直流负载，极大提升了应用灵活性。传统的机械继电器受限于触点方向性，而G3VM-6F的MOS FET输出可在漏极和源极之间自由导通，只要电压不超过额定值即可正常工作。这一特性特别适用于模拟信号切换、电池管理系统中的充放电路径控制以及多通道数据采集系统的信号路由。
　　另一个关键优势是其超低的导通电阻，典型值仅为7Ω，最大不超过10Ω。低导通电阻意味着在通过额定电流时产生的I2R损耗较小，从而降低了器件自身的发热，提高了系统效率并减少了散热设计需求。这对于空间受限或对热管理要求严格的便携式设备尤为重要。同时，低RON也有助于保持信号完整性，尤其是在传输微弱模拟信号时，避免因压降过大而导致测量误差。
　　G3VM-6F还具有出色的电气隔离性能，隔离电压高达5000 Vrms，符合国际安全标准，适用于高电压环境下的信号隔离与控制。它能有效阻断地线环路干扰、瞬态高压冲击和共模噪声，提升系统的抗干扰能力和运行稳定性。此外，由于没有机械触点，不存在磨损、弹跳或电弧等问题，因此寿命远超传统电磁继电器，可达数十万次以上操作，非常适合需要频繁开关的应用场景。
　　该器件响应速度快，开通时间典型值为1ms，关断时间为0.5ms，虽不及高速数字光耦，但在功率切换类应用中已足够迅速。配合LED输入控制，仅需5V逻辑电平经限流电阻驱动即可实现完全导通，兼容TTL/CMOS电路，集成简便。最后，其小型SSIP封装不仅节省PCB空间，而且支持自动化贴片生产，有利于提高制造效率和产品一致性。

G3VM-6F广泛应用于需要电气隔离与信号切换功能的各类电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC模块、I/O接口板、传感器信号切换电路中，作为执行机构的驱动隔离元件，确保控制器与现场设备之间的安全隔离。由于其支持直流与交流负载切换，可用于电机控制、加热器电源通断、电磁阀驱动等场合。
　　在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、数据采集系统（DAQ）或多路复用器前端，G3VM-6F被用来切换不同通道的模拟或数字信号，利用其低导通电阻和高重复性保证测量精度。特别是在精密电压或电流检测电路中，低RON有助于减小插入损耗，避免影响被测信号。
　　通信设备中也常见其身影，例如在电话交换系统、音频信号路由或远程配置模块中，用于实现线路选择与信号隔离，防止串扰和过压损坏主控芯片。医疗电子设备因其对安全性和可靠性的极高要求，也大量采用此类光继电器，如病人监护仪、诊断设备中的信号通路控制，满足医疗级绝缘标准。
　　此外，在电池管理系统（BMS）中，G3VM-6F可用于均衡电路的开关控制，精确导通特定电池单元进行充放电调节。消费类电子产品如智能家居控制模块、安防系统中的远程开关单元，也可借助其无噪声、无火花的特点实现静音可靠操作。总之，凡涉及低压控制高压、小信号驱动大负载、需长期稳定运行的场景，G3VM-6F都是理想选择。

TLP3543
　　AQY272SX
　　PCF210X