STF140N8F7 时间：2025/7/23 5:01:41 阅读：4

STF140N8F7 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高电流、高效率应用设计，具有低导通电阻和优良的热性能，适用于汽车电子、工业电源、DC-DC转换器及电机控制等领域。该MOSFET采用先进的技术制造，确保在高频率和高负载条件下仍能保持稳定性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：140A
　　最大漏-源电压（VDS）：80V
　　导通电阻（RDS(on)）：5.7mΩ @ VGS=10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.5V ~ 4V
　　最大栅极电压：±20V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　安装类型：表面贴装（SMD）

特性

STF140N8F7 具有多个显著的技术特性，首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）确保在高电流工作状态下，MOSFET的导通损耗降到最低，从而提高整体系统效率。此外，该器件采用了先进的沟槽栅技术，增强了电流的导通能力和热稳定性。
　　其次，STF140N8F7 的封装形式为 PowerFLAT 5x6，这是一种小型表面贴装封装，具有良好的散热性能，能够有效降低工作温度，提高器件在高功率密度应用中的可靠性。该封装还支持多个并联安装，以满足更高电流的需求。
　　再者，该MOSFET具有较高的短路耐受能力，使其在面对突发的过载或短路情况时具备一定的保护能力。其栅极氧化层设计也确保了在高频率开关操作下的稳定性，避免因电压尖峰引起的栅极击穿问题。
　　另外，STF140N8F7 在制造过程中采用了符合RoHS标准的材料，满足现代电子产品对环保的要求。同时，其具备较高的抗静电能力，能够在生产和使用过程中更好地抵抗静电放电（ESD）的损害。

应用

STF140N8F7 被广泛应用于多个高功率和高效率需求的场景。在汽车电子领域，该器件可用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）以及电池管理系统（BMS）等模块。其高可靠性和耐温能力使其在极端环境下依然能够稳定工作。
　　在工业应用方面，STF140N8F7 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和功率因数校正（PFC）电路。这些应用通常需要高效率、高频率和高电流的功率器件，而STF140N8F7 正好满足这些要求。
　　此外，该MOSFET也适用于太阳能逆变器和储能系统中的功率控制单元。在这些应用中，器件的导通损耗和热性能直接影响系统效率和寿命，因此STF140N8F7 的低RDS(on)和优良散热特性使其成为理想选择。
　　最后，在消费类电子产品中，如高性能笔记本电脑电源适配器、游戏主机电源模块以及高功率LED驱动器中，STF140N8F7 同样可以提供高效、稳定的功率控制解决方案。