类型：MOS FET继电器（无触点）
　　通道数：1 Form A（单刀单掷常开）
　　输入正向电流（IF）：20 mA（典型值）
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出导通电阻（RON）：0.8 Ω（最大值）
　　输出耐压（VDS）：60 V（最大值）
　　连续通态电流（ID(on)）：1.2 A（最大值）
　　峰值通态电流（ID(peak)）：3.6 A
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　响应时间（Turn-on time）：1 ms（最大值）
　　关断时间（Turn-off time）：0.5 ms（最大值）
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：SOP-4（小型表面贴装）
　　引脚间距：1.27 mm
　　LED波长兼容性：近红外（约940 nm）
　　绝缘材料：聚酰亚胺薄膜（作为光耦隔离层）

G3VM-41LR5的核心优势在于其极低的导通电阻，典型值仅为0.8Ω，这使得它在大电流传输时能够显著降低功率损耗和温升，从而提高系统效率并减少散热设计的复杂度。这一特性使其特别适用于电池供电系统、精密电源切换以及模拟信号路径中的高性能开关应用。由于采用了先进的光控MOSFET技术，该器件在导通状态下呈现出接近理想开关的线性特性，能够在宽动态范围内保持稳定的导通性能，避免了传统继电器因接触电阻变化而导致的信号失真问题。
　　另一个关键特性是其出色的电气隔离能力。G3VM-41LR5提供了高达5000Vrms的输入-输出隔离电压，符合国际安全标准如UL、CSA和IEC的相关要求，适用于需要高等级绝缘保护的工业和医疗设备。这种高隔离性能有效防止了高压侧对低压控制电路的干扰或损坏，增强了系统的安全性与稳定性。
　　该器件还具备优异的环境适应性，在-30°C至+85°C的宽温度范围内均可稳定工作，适合部署于恶劣工业环境中。其固态结构不受机械冲击和振动影响，寿命远超传统电磁继电器，可达数十亿次操作次数。此外，SOP-4的小型化封装不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴片生产，提升了制造效率。响应速度快（开通时间≤1ms，关断时间≤0.5ms）也使其适用于高频切换场景，如自动测试设备（ATE）中的信号路由切换。
　　输入端仅需较低的LED驱动电流（通常20mA即可完全导通），可直接由微控制器I/O口驱动，无需额外的驱动电路，简化了系统设计。同时，内置的光耦结构确保了输入与输出之间的完全电气隔离，即使在存在地电位差或噪声干扰的情况下也能可靠工作。

G3VM-41LR5广泛应用于各类需要高可靠性、小体积和低导通电阻的直流开关场景。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）模块中的数字量输出通道，用于控制小型电磁阀、指示灯或传感器电源的通断。由于其无触点特性，不会产生电弧，因此非常适合在易燃易爆环境中替代传统继电器，提升本质安全性。
　　在测试与测量设备中，G3VM-41LR5被用于构建多路复用器或信号切换矩阵，尤其是在自动测试设备（ATE）中实现被测器件（DUT）与测试仪器之间的连接切换。其低RON和良好线性度保证了模拟信号传输的完整性，适用于音频信号、传感器信号或精密电压/电流源的切换。
　　医疗电子设备也是其重要应用领域之一，例如病人监护仪、便携式诊断设备和生命支持系统。这些设备对电气安全和长期稳定性有极高要求，G3VM-41LR5的高隔离电压和长寿命特性正好满足这些需求。此外，其无磁特性避免了对敏感生物信号检测造成干扰。
　　在通信系统中，可用于电源管理单元中的负载切换，或用于隔离不同电平的控制信号。消费类电子产品如高端音响、智能家居控制面板中也可见其身影，用于静音切换音频通道或外围模块供电。新能源系统如太阳能逆变器或储能管理系统中，也可用于状态监测回路的信号隔离与切换。

G3VM-61GLY,TW
　　G3VM-41GR5
　　TLP3545A
　　AQY202EHAX
　　PCF2103P