类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：25A
　　漏源击穿电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.18Ω（典型值）
　　耗散功率（PD）：400W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-3P等

FMH25N50G具备优异的导通特性和高压阻断能力，适用于多种功率转换场合。其主要特性包括高电流承载能力、低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性。此外，该MOSFET具备较强的抗过载能力，能够在高电压和高电流条件下稳定工作，适用于高效率电源系统的设计。其封装形式适合多种安装方式，具有良好的散热性能。
　　在导通状态下，FMH25N50G的RDS(on)较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。同时，其快速开关特性降低了开关损耗，适用于高频开关应用。器件的栅极驱动要求较低，易于与常见的驱动电路匹配，简化了设计流程。此外，该MOSFET具备良好的雪崩击穿耐受能力，提高了器件在极端工作条件下的可靠性。
　　FMH25N50G在热设计方面表现优异，其热阻较低，能够有效将热量传导至散热器或PCB上，确保在高功率负载下仍能保持稳定运行。该器件广泛用于工业电源、UPS系统、太阳能逆变器、电机驱动等应用场景。

FMH25N50G主要应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、逆变器、电机控制器、电池充电器、LED驱动电源、UPS不间断电源系统以及工业自动化设备。由于其高耐压和大电流特性，该MOSFET也适用于高效率AC-DC和DC-DC转换器设计。

FQA25N50C, IRF250, 2SK2141, 25N50E