类型：MOS FET继电器（固态继电器）
　　通道类型：单通道常开（NO）
　　输入正向电流（IF）：50 mA（最大）
　　输入反向电压（VR）：5 V（最大）
　　输出漏源电压（VDS）：60 V（最大）
　　输出连续通态电流（IO）：250 mA（最大）
　　输出导通电阻（RON）：典型值1.5 Ω，最大值2.5 Ω
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　响应时间（Turn-ON）：典型值0.3 ms
　　响应时间（Turn-OFF）：典型值0.2 ms
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOP-4（超小型塑料封装）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

G3VM-355C的最大优势之一是其极低的导通电阻，典型值仅为1.5Ω，这使得它在传输模拟信号或开关小功率负载时具有极低的电压降和功耗，从而提高了系统的整体效率。该器件的输出端采用一对背对背连接的N沟道MOSFET结构，能够支持交流和直流负载的开关操作，并有效防止反向电流流动，提升了电路的安全性和稳定性。其输入侧采用高效率红外LED，仅需较低的驱动电流即可实现完全导通，兼容TTL和CMOS逻辑电平，便于与微控制器、FPGA或其他数字逻辑电路直接接口，无需额外的驱动电路。
　　G3VM-355C具备出色的电气隔离性能，输入与输出之间可承受高达5000 Vrms的隔离电压，满足严格的安规要求，适用于医疗设备和工业控制系统等对安全性要求高的场合。该器件无机械运动部件，因此不会产生接触弹跳或电弧现象，极大地延长了使用寿命，并可在高振动或冲击环境中稳定工作。此外，其快速的响应时间（开通0.3ms，关断0.2ms）使其适用于需要高速切换的应用，如自动测试设备（ATE）中的信号路由或多路复用系统。
　　由于采用SOP-4超小型表面贴装封装，G3VM-355C非常适合高密度印刷电路板设计，有助于缩小终端产品的体积。该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于绿色电子产品制造。其稳定的性能参数和可靠的制造工艺确保了批次间的一致性，降低了生产过程中的质量波动风险。在高温环境下仍能保持良好的电气特性，工作结温可达125°C，适用于较为严苛的工业环境。综合来看，G3VM-355C是一款集高性能、高可靠性和小型化于一体的先进光继电器解决方案。

G3VM-355C广泛应用于需要电气隔离和高速开关功能的电子系统中。在自动测试设备（ATE）中，它常被用于多路复用器和信号切换模块，以实现对多个待测器件的快速、精确控制。在工业自动化领域，该器件可用于PLC输入/输出模块、传感器信号隔离、可编程逻辑控制器中的状态反馈检测等场景。由于其低导通电阻和良好的模拟信号传输能力，也适用于数据采集系统（DAQ）中的模拟开关阵列，用于切换不同通道的电压或电流信号。
　　在通信设备中，G3VM-355C可用于线路切换、阻抗匹配控制以及电源管理单元中的负载开关。其高隔离电压特性使其适合用于医疗电子设备，例如病人监护仪、诊断仪器等，确保患者与主电路之间的安全隔离。此外，在电池管理系统（BMS）、智能电表和安防系统中，该器件也可作为安全开关或状态检测元件使用。由于其兼容数字逻辑电平的能力，常与MCU、DSP或FPGA配合使用，构建智能化的控制回路。消费类电子产品中，如高端音频设备或精密仪器，也可利用其无噪声开关特性来提升用户体验。

G3VM-351E,G3VM-452A,G3VM-61A