类型：MOS FET输出型光耦继电器
　　通道数：1通道
　　封装形式：TSON-6（6引脚无引线薄型小外形封装）
　　输入正向电流（IF）：50 mA（最大）
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出负载电压（VOFF）：35 V（最大）
　　连续通态电流（ION）：380 mA（最大）
　　导通电阻（RON）：典型值90 mΩ，最大120 mΩ
　　隔离电压（Viso）：5,000 Vrms（1分钟，AC）
　　响应时间（Turn-on Time）：典型值0.3 ms
　　响应时间（Turn-off Time）：典型值0.2 ms
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　输入LED波长：约850 nm
　　绝缘材料：满足UL、CSA、VDE等安全认证要求

G3VM-353E的核心特性之一是其基于MOS FET的输出结构，这种设计使其在导通状态下表现出极低的导通电阻，典型值仅为90 mΩ，最大不超过120 mΩ。这一特性极大地降低了器件在通态下的功率损耗和发热，提高了整体能效，尤其适用于对热管理要求较高的紧凑型电子设备。低RON还意味着在相同电流下电压降更小，有助于保持信号完整性，减少系统压降问题。此外，该器件支持高达380 mA的连续通态电流，能够驱动中小功率负载，如传感器、小型电磁阀、LED阵列或模拟信号路径中的切换元件。
　　G3VM-353E具备出色的电气隔离性能，其输入与输出之间的隔离电压可达5,000 Vrms，符合国际安全标准，适用于需要高绝缘等级的应用场景，如医疗设备、工业控制系统和测量仪器。这种高隔离能力有效防止了高压侧对控制电路的干扰或损坏，提升了系统的安全性与可靠性。同时，由于采用光控原理，该器件实现了完全的电气隔离，避免了地环路噪声和共模干扰问题。
　　该光继电器的开关速度非常快，开通时间典型值为0.3毫秒，关断时间为0.2毫秒，远优于传统电磁继电器的毫秒级甚至更慢的响应速度。这使得G3VM-353E非常适合用于高频切换应用，如自动测试设备（ATE）中的信号路由、数据采集系统的多路复用控制以及通信模块中的动态配置切换。快速响应还能减少瞬态过程中的能量损耗，进一步提升系统效率。
　　G3VM-353E采用TSON-6表面贴装封装，体积小巧，便于自动化贴片生产，适用于高密度PCB设计。其无引脚结构不仅节省空间，还改善了热传导性能，有助于热量从底部焊盘有效散发。该器件的工作温度范围宽达-40°C至+85°C，可在恶劣工业环境中稳定运行。此外，它无需外部驱动电路，仅需微控制器或逻辑电路提供的5~20 mA电流即可驱动内部LED，简化了系统设计，降低了整体成本。

G3VM-353E广泛应用于多种需要高可靠性、小尺寸和快速响应的电子控制系统中。在工业自动化领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）模块、I/O接口板以及传感器信号切换电路中，作为执行元件控制各类低功率负载。由于其无触点特性，不会产生电弧或机械磨损，因此特别适合频繁开关操作的场合，如生产线上的状态检测与反馈控制。
　　在测试与测量设备中，G3VM-353E被用于自动测试设备（ATE）的信号路径切换、多路复用器和继电器矩阵中，能够精确、快速地切换电压或电流信号，确保测试结果的准确性和重复性。其低导通电阻和高隔离性能有助于最小化信号失真和串扰，提升测量精度。
　　通信系统中，该器件可用于线路选择、阻抗匹配网络切换或射频前端模块中的偏置控制。虽然不直接用于高频信号传输，但在控制路径中提供稳定可靠的开关功能。此外，在医疗电子设备中，如病人监护仪、诊断仪器等，G3VM-353E凭借其高绝缘性和长寿命，被用于安全隔离患者连接部分与主控电路之间，满足严格的安规要求。
　　消费类电子产品和便携式设备也逐渐采用此类光继电器，以替代笨重且易损的机械继电器。例如，在电池管理系统（BMS）、智能电表或智能家居控制模块中，G3VM-353E可用于电源路径管理、模式切换或故障隔离。其低功耗特性和SMD封装非常适合电池供电和小型化设计需求。

G3VM-453E
　　G3VM-21LR1
　　TLP3543A
　　CPC1017N