类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：600V
　　连续漏极电流（ID）@25℃：7A
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：典型值1.0Ω，最大值1.3Ω
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值950pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：典型值190pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：典型值38ns
　　栅极电荷（Qg）：典型值38nC @ VGS=10V
　　功耗（PD）：125W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装：TO-220

7N60K-MTQ在设计上采用了先进的平面工艺与条纹式栅结构，使得其在高电压应用中具有优异的电气性能和稳定性。其600V的高漏源击穿电压使其能够广泛应用于通用开关电源系统中，尤其是在市电整流后的高压侧开关电路中表现出色。该器件的导通电阻在1.3Ω以下，在同类600V MOSFET中属于中低水平，有助于降低导通损耗，提高系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）仅为38nC左右，意味着驱动电路所需的能量较少，有利于简化驱动设计并减少驱动损耗，特别适合高频工作的电源拓扑。此外，该MOSFET的输入和输出电容较小，进一步降低了开关过程中的充放电损耗，提升了开关速度。
　　该器件具备良好的热性能，TO-220封装具有较高的热传导能力，可通过散热片有效将芯片热量传导至外部环境，确保长时间工作下的可靠性。其最大连续漏极电流可达7A，脉冲电流高达28A，能够应对瞬时负载变化和启动冲击电流。阈值电压范围为2.0V至4.0V，保证了器件在不同驱动信号下的可靠开启与关断，避免误触发。同时，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力，能够在突发过压或感性负载切换时承受一定的能量冲击，增强了系统的鲁棒性。
　　7N60K-MTQ还通过了多项国际安全与环保认证，符合RoHS标准，适用于绿色能源和节能电子产品。其制造过程严格遵循质量控制体系，确保批次一致性与长期可靠性。在实际应用中，该器件常被用于手机充电器、笔记本适配器、LED驱动电源、小型家电电源模块等领域。由于其性能稳定、成本适中，成为许多中低端电源设计中的主流选择之一。工程师在使用时需注意布局布线，合理设计栅极驱动回路以抑制振铃和电磁干扰，同时建议配合合适的吸收电路以保护器件免受电压尖峰影响。

7N60K-MTQ广泛应用于各类中小功率开关电源系统中，尤其适用于离线式反激变换器（Flyback Converter），这类拓扑常见于手机充电器、USB电源适配器、笔记本电脑外置电源等消费类电子产品。其600V耐压能力足以应对整流后的市电峰值电压，并留有足够安全裕量。此外，该器件也适用于LED照明驱动电源，特别是在非隔离或初级侧控制的恒流源设计中，能够实现高效稳定的直流输出。在工业控制领域，如小型继电器电源、PLC辅助电源模块中，7N60K-MTQ也因其可靠性和耐用性而被广泛采用。其他应用场景还包括电视机、显示器的待机电源（Standby Power Supply）、智能家居设备电源模块以及小型电动工具充电电路等。由于其具备良好的高温工作性能和较强的抗干扰能力，该器件在环境条件较为严苛的应用中也能保持稳定运行。

7N60, FQP7N60, STP7NK60ZFP, KF7N60, GBU7N60}}