G3VM-351D(TR) 时间：2025/12/27 0:37:48 阅读：9

G3VM-351D(TR)是欧姆龙（OMRON）公司生产的一款MOS FET继电器，属于其先进的光继电器产品线。该器件采用先进的光电耦合技术，通过输入端的发光二极管（LED）与输出端的MOSFET功率开关实现电气隔离控制。G3VM-351D(TR)采用超小型表面贴装封装（S-MINI），尺寸紧凑，适合高密度PCB布局，广泛应用于工业自动化、测试测量设备、通信系统以及医疗电子等领域。该光继电器无需机械触点，因此具备无噪音操作、长寿命、高抗冲击和振动性能等优点。此外，其固态结构避免了传统电磁继电器常见的触点弹跳、磨损和电弧问题，提升了系统的可靠性和稳定性。G3VM-351D(TR)特别适用于需要频繁切换、低功耗驱动和高隔离性能的应用场景。器件符合RoHS指令，采用无铅材料制造，支持环保生产工艺。其TR后缀表示产品以卷带包装形式供应，便于自动化贴片生产线使用，提高制造效率。整体设计兼顾高性能与小型化，是现代电子系统中理想的固态开关解决方案。

参数

类型：常开型MOS FET继电器
　　输入正向电流（IF）：50mA（最大）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　导通电阻（RON）：典型值9Ω，最大12Ω
　　负载电压（VOFF）：35V（最大）
　　连续负载电流（IO）：360mA（最大）
　　断态漏电流（IDOFF）：1μA（最大）
　　导通时间（tON）：0.5ms（典型）
　　关断时间（tOFF）：0.4ms（典型）
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　绝缘电压（VIORM）：4000Vrms（1分钟，AC）
　　封装形式：S-MINI（4引脚）
　　安装方式：表面贴装（SMT）
　　隔离类型：光电耦合

特性

G3VM-351D(TR)的核心优势在于其基于光电耦合的MOS FET输出结构，实现了输入控制信号与输出负载电路之间的完全电气隔离。这种设计不仅提高了系统的安全性，还有效抑制了噪声干扰，尤其适用于对电磁兼容性要求较高的精密电子设备。该器件的输入端仅需较低的驱动电流（典型应用为5-10mA），可直接由微控制器、逻辑门电路或低功率驱动器驱动，无需额外的驱动晶体管或缓冲电路，简化了系统设计并降低了整体成本。其输出端采用无触点MOSFET开关，具备极低的导通电阻（典型值仅为9Ω），在传输小电流信号时压降极小，能量损耗低，有助于提升系统能效。由于没有机械运动部件，G3VM-351D(TR)具有极高的耐久性，可实现数亿次的开关操作而不会出现性能衰减，远超传统电磁继电器的寿命。
　　该器件的快速响应能力也是其显著特点之一，导通和关断时间均在毫秒级以下，确保了对负载的精确控制，适用于需要高速切换的应用，如自动测试设备中的信号路由切换或多通道数据采集系统。S-MINI封装不仅体积小巧，还优化了内部引线结构，减少了寄生电感和电容，进一步提升了高频性能和热稳定性。器件具备良好的热性能，能够在较宽的环境温度范围内稳定工作，适用于工业现场等恶劣环境。此外，G3VM-351D(TR)具有极低的断态漏电流（最大1μA），在关断状态下几乎不产生漏电，确保了高阻抗信号路径的完整性，适合用于模拟信号开关或高精度测量系统。其高绝缘电压（4000Vrms）提供了强大的安全隔离能力，满足多种安全标准要求，适用于医疗设备或工业控制系统中对人身和设备保护至关重要的场合。

应用

G3VM-351D(TR)广泛应用于需要高可靠性、小尺寸和低功耗控制的电子系统中。在工业自动化领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）模块、I/O扩展板和传感器接口电路中，作为执行器或信号通道的固态开关，替代传统电磁继电器以提高系统寿命和抗干扰能力。在测试与测量设备中，该器件被用于自动测试仪（ATE）、数据采集系统和多路复用器中，实现高速、低失真的信号切换，确保测试结果的准确性和重复性。通信设备中也大量采用此类光继电器，用于线路切换、音频/视频信号路由或电源管理模块，因其无触点特性可避免信号串扰和接触不良问题。
　　在医疗电子设备中，G3VM-351D(TR)凭借其高绝缘性能和稳定性，被用于病人监护仪、诊断设备和便携式医疗仪器中，确保患者安全的同时提供可靠的信号控制。消费类电子产品中，如高端音频设备、智能家居控制模块和电池管理系统，该器件可用于电源通断控制或模式切换，提升用户体验和产品可靠性。此外，在汽车电子测试台、电池测试系统和光伏逆变器控制电路中，G3VM-351D(TR)也发挥着重要作用，尤其是在需要电气隔离和长寿命开关的场合。其表面贴装封装形式使其非常适合自动化生产和回流焊工艺，广泛适用于现代电子产品的大规模制造流程。