时间：2025/8/15 0:54:09
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2N7002-L TR是一款N沟道增强型功率MOSFET晶体管，常用于高效率的开关应用。这款MOSFET以其低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好的热稳定性而著称，适用于广泛的电子电路设计。
类型: N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）: 115mA
最大漏源电压（Vds）: 60V
最大栅源电压（Vgs）: ±20V
导通电阻（Rds(on)）: 5Ω
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
封装类型: SOT-23
2N7002-L TR具有较低的导通电阻，使得在开关过程中能够减少功率损耗，提高系统的整体效率。由于其高开关速度特性，该器件适用于高频开关电路。
该MOSFET的封装形式为SOT-23，体积小且便于在PCB上安装，同时具备良好的散热性能。此外，它能够在宽广的温度范围内稳定工作，适合在恶劣环境中使用。
2N7002-L TR还具有高可靠性和耐用性，使其成为许多电源管理应用的首选器件。由于其增强型设计，在栅极不加电压时，漏极和源极之间不会导通，确保了在关闭状态下的高绝缘性能。
2N7002-L TR主要用于各种开关应用，例如DC-DC转换器、负载开关、继电器驱动电路和信号切换电路。它也常用于电池供电设备中的电源管理模块，以提高能效并延长电池寿命。此外，该器件适合在汽车电子系统、工业控制设备以及消费类电子产品中使用。
2N7000, 2N7002, BSS138
