类型：MOS FET继电器（无触点）
　　输出形式：单极常开（SPST-NO）
　　输入正向电流（IF）：5 mA（最大值）
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出耐压（VDS）：60 V
　　连续通态电流（IDON）：2 A（最大值）
　　导通电阻（RON）：典型值90 mΩ，最大值120 mΩ
　　动作时间（ton）：0.3 ms（典型值）
　　释放时间（toff）：0.2 ms（典型值）
　　隔离电压（Viso）：2500 Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：TSON-4（无引线薄型小外形封装）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　LED波长：约950 nm（红外）
　　输入LED类型：GaAs红外LED

G3VM-21LR1的核心特性之一是其超低导通电阻，典型值仅为90 mΩ，这使得在大电流通过时产生的功耗和温升非常小，提高了系统的整体效率并减少了散热设计的复杂性。低导通电阻对于电池供电系统尤为重要，因为它能够最大限度地减少能量损耗，延长设备运行时间。同时，该器件支持高达2A的连续通态电流，足以驱动大多数中小功率负载，如小型电机、电磁阀、加热元件或LED阵列。其60V的输出耐压能力也使其适用于多种低压直流系统，包括12V、24V和48V工业电源环境。
　　另一个显著特点是其高速开关性能。G3VM-21LR1的动作时间和释放时间分别仅为0.3ms和0.2ms，远快于传统电磁继电器的毫秒级甚至更慢的响应速度。这种快速响应能力使其非常适合用于高频信号切换、脉冲宽度调制（PWM）控制以及需要精确时序控制的应用场景。例如，在自动测试设备（ATE）中，它可以实现对被测器件的快速通断控制，提升测试效率。
　　该器件采用光电MOSFET驱动技术，输入与输出之间通过光隔离实现电气绝缘，隔离电压高达2500 Vrms，确保了高安全性，有效防止高压窜入低压控制侧，保护敏感电路和操作人员。此外，由于没有机械触点，不会产生电弧、火花或接触抖动，极大提升了在易燃易爆或高电磁干扰环境下的可靠性。
　　G3VM-21LR1的TSON-4封装体积小巧，节省PCB空间，且支持自动化贴片生产，有利于提高生产效率和产品一致性。其宽工作温度范围（-40°C至+85°C）使其可在极端气候条件下稳定运行，适用于户外设备、汽车电子和工业现场等严苛环境。

G3VM-21LR1广泛应用于需要高可靠性、长寿命和快速响应的电子控制系统中。在工业自动化领域，它常用于可编程逻辑控制器（PLC）的I/O模块中，作为数字信号的隔离与驱动元件，实现对传感器、执行器的控制。由于其无触点特性，避免了传统继电器因频繁开关导致的触点磨损问题，特别适合高频操作场景。
　　在测试与测量设备中，G3VM-21LR1可用于自动测试系统（ATE）中的信号路由开关，实现对多通道信号的快速切换，支持高精度数据采集和功能验证。其低导通电阻和快速响应时间有助于提高测试速度和准确性。
　　在医疗电子设备中，该继电器可用于病人监护仪、便携式诊断设备等，提供安全可靠的信号隔离，防止漏电流对患者造成风险。其符合医疗设备对高绝缘性和稳定性的要求。
　　在通信系统中，G3VM-21LR1可用于基站电源管理、信号切换和线路保护电路中，实现远程控制和故障隔离。其表面贴装封装也便于集成到紧凑的通信模块中。
　　此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、智能家居控制、安防系统和汽车电子等领域，作为电池充放电控制、负载开关或状态指示的执行元件。其低功耗特性也使其适用于由微控制器直接驱动的低电压逻辑接口电路，无需额外的驱动电路，简化系统设计。

G3VM-41LR1
　　G3VM-61GLY
　　TLP3543A