类型：MOS FET继电器（单常开）
　　输入正向电流（IF）：50mA
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输出导通电阻（RON）：典型值7Ω，最大12Ω
　　输出耐压（VOFF）：60V
　　连续负载电流（IO）：340mA
　　峰值负载电流（IOP）：680mA
　　绝缘电压（VIORM）：5000Vrms
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：S-MINI（4引脚）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　响应时间（开）：典型值0.5ms
　　响应时间（关）：典型值0.5ms

G3VM-101ER(TR)的核心优势在于其基于光控MOSFET的输出结构，这种设计使其在导通状态下表现出极低的导通电阻，典型值仅为7Ω，最大不超过12Ω。这一特性显著降低了信号路径上的电压降和功率损耗，特别适合用于精密模拟信号切换和小电流数字信号传输的应用场景。低RON不仅提高了系统的能效，还减少了发热，有助于提升整个电子系统的稳定性和可靠性。此外，由于MOSFET本身具备双向导通能力，该光耦继电器可用于交流或直流信号的切换，灵活性远高于传统的单向开关器件。
　　该器件提供高达5000Vrms的绝缘电压（VIORM），确保了输入控制电路与输出负载电路之间具备优异的电气隔离性能，能够有效防止高压窜入低压控制端，保护敏感电子元件和操作人员安全。这一高隔离特性使其非常适合用于医疗设备、工业PLC和高精度测试仪器等对安全要求极为严格的应用场合。同时，G3VM-101ER(TR)的输入侧仅需5V反向电压耐受能力和50mA驱动电流，可直接由标准逻辑电平（如3.3V或5V MCU GPIO）驱动，简化了接口电路设计，无需额外的驱动芯片。
　　响应速度快是另一个突出特点，其开通和关断时间均在0.5ms左右，远快于机械继电器的毫秒级甚至更慢的响应速度。这使得该器件能够在需要高频切换或快速响应的控制系统中发挥重要作用。此外，S-MINI表面贴装封装不仅节省PCB空间，还增强了抗震性能，避免了传统插件式继电器因振动导致的接触不良问题。器件无触点、无火花、无噪音的操作特性，也使其适用于洁净室环境和易燃易爆场所。最后，该产品经过严格的质量控制和老化测试，具备出色的长期稳定性和耐久性，可在-20°C至+85°C的宽温度范围内可靠工作，满足大多数工业级应用需求。

G3VM-101ER(TR)广泛应用于多种需要高可靠性、小尺寸和电气隔离的电子系统中。在自动测试设备（ATE）和数据采集系统中，它常被用作多路复用开关，用于切换传感器信号或精密电压源，其低导通电阻和双向导通特性确保了信号完整性，避免引入额外误差。在工业自动化领域，该器件可用于PLC输出模块中，控制小型电磁阀、指示灯或报警器等低功率负载，替代传统电磁继电器以提高系统寿命和稳定性。
　　在医疗电子设备中，如病人监护仪、分析仪器和诊断设备，G3VM-101ER(TR)凭借其高隔离电压和无电磁干扰的特性，成为理想的信号隔离与切换元件，保障患者和设备的安全。通信系统中，该光耦继电器可用于音频或低频信号的路由切换，例如在电话交换系统或多通道音频处理设备中实现静音控制或通道选择。
　　此外，在电池管理系统（BMS）、智能电表和智能家居控制模块中，G3VM-101ER(TR)可用于电池单元切换、电流检测回路控制或负载通断管理。其表面贴装封装也使其适用于便携式设备和高密度主板设计。由于其兼容自动化贴片工艺，该器件在消费电子、汽车电子和物联网终端设备的大规模生产中也得到了广泛应用。总之，凡是需要安全隔离、低功耗驱动、长寿命和快速响应的开关应用场景，G3VM-101ER(TR)都是一个理想的选择。

G3VM-101EY(TR)
　　G3VM-101LR(TR)
　　TLP3543A
　　AQY202EH