时间：2025/9/13 22:47:16
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PSMN070-200P,127是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，具备低导通电阻、高电流能力和优异的热稳定性。该MOSFET采用先进的Trench沟槽技术，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡。其封装形式为TO-220，适用于多种功率电子系统，如DC-DC转换器、电机控制、电源管理和负载开关等。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：200V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：70A（Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：最大7.0mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散(Pd)：160W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-220
栅极电荷(Qg)：约85nC（典型值）
输入电容(Ciss)：约1950pF
反向恢复时间(trr)：标准
PSMN070-200P,127具备多项关键性能特性，使其在功率MOSFET领域表现出色。首先，其超低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下的低功耗，从而提高系统效率。其次，该器件采用Trench沟槽技术，有效降低开关损耗，使其适用于高频开关电路。此外，其高电流承载能力和良好的热管理性能，使其在高温环境下依然保持稳定运行。该MOSFET还具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在极端工作条件下的可靠性。TO-220封装形式便于安装和散热，适用于工业级和汽车电子应用。
PSMN070-200P,127广泛应用于多个领域，包括工业电源、DC-DC转换器、电机驱动系统、UPS不间断电源、电池管理系统以及负载开关控制。由于其高效率和高可靠性，它也常用于电动汽车（EV）充电系统、太阳能逆变器和储能系统等高功率场合。在汽车电子中，该器件可应用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载DC-DC转换器。
IRF1405, SiHF20N200DDT, STP70NF20, FDPF070N20
