G3VM-101BR 时间：2025/12/27 0:19:13 阅读：12

G3VM-101BR是欧姆龙（OMRON）公司生产的一款MOS FET输出型光耦继电器，属于其G3VM系列中的超小型大功率器件。该器件采用先进的光控MOSFET技术，能够在无需外部电源的情况下实现负载的开关控制，特别适用于需要高隔离性能和长寿命开关功能的应用场合。G3VM-101BR封装在紧凑的5引脚TSON（Thin Small Outline No-lead）表面贴装封装中，尺寸小巧，适合高密度PCB布局，同时具备良好的热传导性能，确保在较高负载电流下稳定运行。该光耦继电器内部由一个红外LED和一对背对背连接的MOSFET构成，能够控制交流或直流负载，具有低导通电阻、无触点磨损、无机械振动和静音操作等优点。由于其固态结构，G3VM-101BR相比传统电磁继电器具有更长的使用寿命和更高的抗冲击与抗振动能力，广泛应用于工业自动化、测量设备、医疗仪器、通信系统以及半导体测试设备等领域。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代电子制造的环保要求。

参数

类型：MOS FET输出型光耦继电器
　　通道数：1
　　封装形式：TSON-5（表面贴装）
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出导通电阻（RON）：典型值6 Ω，最大10 Ω
　　输出耐压（VOFF）：100 V
　　连续负载电流（IO）：340 mA
　　峰值负载电流（IOP）：720 mA
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　绝缘电压（VIORM）：5000 Vrms
　　响应时间（Turn-on Time）：0.3 ms（典型）
　　响应时间（Turn-off Time）：0.2 ms（典型）
　　LED波长：940 nm
　　极性：非极性输出（可双向导通）

特性

G3VM-101BR的核心优势在于其采用的MOS FET输出结构，实现了真正的固态继电器功能。该器件利用光电效应驱动内部MOSFET栅极，当输入端LED通电发光时，光敏层产生电荷并形成反型层，使MOSFET导通，从而实现输出端的低阻通路。这种结构避免了传统机械触点带来的弹跳、电弧和磨损问题，显著提升了系统的可靠性与寿命。其导通电阻低至6Ω，可在340mA连续电流下保持较低的功耗和温升，适合用于精密信号切换和小功率负载控制。同时，背对背MOSFET设计使其能够双向导通，适用于交流信号或双极性直流信号的控制，极大扩展了应用灵活性。
　　该器件具备优异的电气隔离性能，输入与输出之间可承受高达5000 Vrms的绝缘电压，有效防止高压窜入控制侧，保障系统安全。其响应速度快，开通和关断时间均在毫秒以内，远快于传统电磁继电器，适用于需要快速切换的自动测试设备和数据采集系统。TSON-5封装不仅体积小，还具备良好的散热能力，通过底部散热焊盘可将热量高效传递至PCB，提升功率处理能力。此外，G3VM-101BR对电磁干扰不敏感，不会产生电磁噪声，适用于高灵敏度电子环境。由于无机械运动部件，它能在高振动或冲击环境中稳定工作，非常适合工业现场和移动设备使用。

应用

G3VM-101BR因其高可靠性、小尺寸和无触点特性，被广泛应用于多种电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC模块、I/O控制板和传感器信号切换，实现对执行器或反馈回路的安全隔离控制。在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、数据采集系统和多路复用器，该器件可用于精确切换模拟或数字信号路径，避免引入接触电阻变化带来的测量误差。在医疗电子设备中，其高绝缘性和稳定性满足安全规范要求，适用于病人监护仪、诊断设备中的信号隔离与切换。通信系统中，可用于音频或数据线路的静音控制和路由选择。此外，在办公自动化设备、安防系统和消费类电子产品中，G3VM-101BR也常用于电池供电电路的负载开关、电源管理模块或继电器替代方案，以提升系统寿命和能效。其表面贴装封装便于自动化贴片生产，适合大规模制造。