RU1L002SN TL 时间：2025/7/12 7:02:39 阅读：8

RU1L002SN TL 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高电流处理能力，能够显著提升系统效率并降低能耗。
　　该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于中高电压范围内的各种电子设备。其封装形式紧凑，适合对空间要求较高的设计。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：28A
　　导通电阻：2.5mΩ
　　栅极电荷：47nC
　　开关时间：典型值开启时间 9ns，关断时间 16ns
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

RU1L002SN TL 的核心特点是其卓越的性能与可靠性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 2.5mΩ，可有效减少传导损耗。
　　2. 高电流承载能力，支持高达 28A 的连续漏极电流。
　　3. 快速开关速度，得益于优化的栅极电荷设计，从而实现更高的工作效率。
　　4. 宽广的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，确保在极端环境下的稳定性。
　　5. 小型化的封装结构，有助于节省 PCB 空间。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅材料使用。

应用

这款功率 MOSFET 广泛用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 中作为主开关管或同步整流管。
　　2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
　　3. 各种 DC-DC 转换器模块，如降压或升压拓扑。
　　4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载切换控制。
　　5. 工业自动化设备中的功率级控制单元。
　　6. 充电器及适配器中的高效功率转换部分。