型号：G30N60D
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：600V
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　连续漏极电流(ID)：30A (Tc=25°C)
　　脉冲漏极电流(IDM)：120A
　　导通电阻(RDS(on))：典型值0.07Ω，最大值0.09Ω (VGS=10V, ID=15A)
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：约1800pF (VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz)
　　输出电容(Coss)：约130pF
　　反向传输电容(Crss)：约35pF
　　总栅极电荷(Qg)：约85nC (VDS=480V, ID=30A, VGS=10V)
　　上升时间(tr)：约50ns
　　下降时间(tf)：约25ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F

G30N60D采用了先进的平面场板技术，这种结构有效提升了器件的耐压能力和可靠性。其核心优势在于低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时最大仅为90mΩ，这意味着在大电流工作条件下功耗显著降低，有助于提高整体电源系统的转换效率并减少散热需求。该MOSFET的栅极电荷Qg较低，约为85nC，使得驱动电路所需提供的能量更少，从而加快了开关速度，减少了开关过程中的动态损耗。这对于高频开关电源尤为重要，能够支持更高的工作频率，进而减小磁性元件和滤波电容的体积，实现电源小型化。
　　该器件具备优良的开关特性，输入电容Ciss、输出电容Coss和反馈电容Crss均经过优化，抑制了米勒效应引起的误触发风险，提高了在高dV/dt环境下的抗干扰能力。同时，其较快的上升时间和下降时间确保了在硬开关拓扑如反激、正激、半桥和全桥变换器中具有出色的响应性能。G30N60D还具备较强的雪崩耐量，能够在瞬态过压或感性负载关断时吸收一定的能量而不损坏，提升了整个系统的鲁棒性。
　　热稳定性方面，得益于TO-220封装良好的热传导性能，结合芯片本身的低热阻设计，G30N60D可在较高环境温度下长期稳定运行。此外，其阈值电压Vth具有较窄的分布范围，保证了多管并联使用时的均流特性，适用于需要并联扩容的大功率场合。综合来看，G30N60D不仅满足了现代高效电源对低损耗、高可靠性的要求，还在成本控制上表现出色，是中小功率工业电源和消费类电器中理想的功率开关器件。

G30N60D广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适用于AC-DC和DC-DC转换器拓扑结构。在反激式（Flyback）电源中，它可作为主开关管用于笔记本电脑适配器、LED驱动电源、电视电源板等设备，凭借其高耐压和低导通损耗特性，有效提升能效并满足能源之星等节能标准。在有源钳位反激（Active Clamp Flyback）或LLC谐振变换器中，G30N60D也能胜任主开关或同步整流角色，实现更高频率下的高效运行。
　　该器件同样适用于太阳能微型逆变器、UPS不间断电源和小型光伏逆变系统中的DC-AC转换环节，其快速开关能力和高耐压特性有助于提升逆变效率并降低电磁干扰（EMI）。在电机控制领域，G30N60D可用于小型变频器或直流无刷电机驱动器的H桥电路中，执行PWM调速功能，提供稳定可靠的功率切换能力。
　　此外，G30N60D还可用于工业电源模块、充电器（如电动车充电桩辅助电源）、电子镇流器以及各类恒功率输出设备中。由于其具备较强的抗雪崩能力和良好的高温工作稳定性，即使在恶劣工况下仍能保持较长使用寿命，因此也常见于工业自动化设备和户外电力装置中。总之，凡是需要600V级别高压开关且对效率和可靠性有一定要求的应用场景，G30N60D都是一个经济实用的选择。

FQA30N60, K2855, IRFP4668, STGF3NC60D}}