类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：11A
　　导通电阻(Rds(on))：0.3Ω（典型值）
　　功耗(Pd)：60W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252（依具体厂家而定）

JX2N6794具有多项优异的电气和热性能，适用于中高功率开关应用。
　　首先，其最大漏源电压为100V，能够满足多种中高压电源转换应用的需求，例如开关电源、电池充电器和DC-DC变换器。最大连续漏极电流可达11A，支持较高负载能力，适用于需要较大电流输出的场景。
　　其次，该MOSFET的导通电阻Rds(on)典型值为0.3Ω，较低的导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。同时，低Rds(on)也减少了在高电流工作下的发热，提高器件的稳定性。
　　此外，JX2N6794具有较高的栅极耐压能力，最大栅源电压为±20V，确保在驱动过程中不易损坏栅极结构，提高了使用的安全性和可靠性。
　　该器件的封装形式通常为TO-220或TO-252，具备良好的散热性能，适合在较高功率环境下工作。其最大功耗为60W，能够在较高温度环境下稳定运行，适用于工业级和消费类电子产品。
　　JX2N6794的温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的热稳定性和环境适应性，适用于户外、车载以及工业控制等复杂环境下的应用。

JX2N6794适用于多种电源管理和功率控制电路中。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、LED驱动电源、逆变器、UPS不间断电源以及各种高功率负载开关控制电路。该器件也广泛用于工业自动化设备、智能家电、电动车充电模块以及太阳能逆变系统等需要高效能功率开关的场景。

2N6794, IRFZ44N, FDPF6N60, STP12NM60ND, FQP12N60C