G2138N51U 时间：2025/9/13 16:37:46 阅读：15

G2138N51U 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用 TO-220 封装，具备良好的热性能和高电流承载能力，适用于各种工业和消费类电子产品。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：51mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装形式：TO-220

特性

G2138N51U 的核心特性包括低导通电阻、高电流能力和良好的热稳定性，使其在高功率密度应用中表现出色。其低 RDS(on) 值确保了在导通状态下的低功耗和高效能转换。此外，该 MOSFET 采用了先进的沟槽技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，从而提高了整体系统效率。
　　这款器件还具有良好的抗雪崩能力和过载保护功能，能够在严苛的工作环境下稳定运行。TO-220 封装不仅提供了良好的散热能力，还便于安装和散热片连接，进一步增强了器件的可靠性。G2138N51U 的设计确保了在高频开关应用中的稳定性和耐用性，是电源转换器、马达控制和负载开关等应用的理想选择。
　　在栅极驱动方面，G2138N51U 支持标准的 10V 栅极驱动电压，同时具备一定的过压保护能力，栅源电压容限为 ±20V，防止因驱动电路异常而导致器件损坏。这使得该 MOSFET 在多种控制电路中都能可靠运行。

应用

G2138N51U 主要用于各种高功率应用，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、马达驱动电路、电源管理系统以及工业自动化设备中的功率开关。此外，该器件还广泛应用于电池充电器、不间断电源（UPS）和高亮度 LED 驱动电路中。由于其优异的导通特性和高频响应能力，G2138N51U 在高效能电源设计中得到了广泛认可。